|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
Б. Ф. Фаррахов, Я. В. Фаттахов, М. Ф. Галяутдинов, А. Л. Степанов, “Дифракционная дилатометрия полиметилметакрилата в области низких температур”, Оптика и спектроскопия, 124:3 (2018), 416–419   ; B. F. Farrakhov, Ya. V. Fattakhov, M. F. Galyautdinov, A. L. Stepanov, “Diffraction dilatometry of polymethacrylate at low temperatures”, Optics and Spectroscopy, 124:3 (2018), 424–427 |
| 2. |
В. И. Нуждин, В. Ф. Валеев, М. Ф. Галяутдинов, Ю. Н. Осин, А. Л. Степанов, “Температурный сенсор на основе полимерной дифракционной решетки с наночастицами серебра”, Квантовая электроника, 48:1 (2018), 82–86 [V. I. Nuzhdin, V. F. Valeev, M. F. Galyautdinov, Yu. N. Osin, A. L. Stepanov, “Temperature sensor based on a polymer diffraction grating with silver nanoparticles”, Quantum Electron., 48:1 (2018), 82–86   ] |
9
|
|
2017 |
| 3. |
А. Л. Степанов, В. И. Нуждин, М. Ф. Галяутдинов, Н. В. Курбатова, В. Ф. Валеев, В. В. Воробьев, Ю. Н. Осин, “Создание дифракционной решетки на алмазной подложке имплантацией ионами бора”, Письма в ЖТФ, 43:2 (2017), 38–44 ; A. L. Stepanov, V. I. Nuzhdin, M. F. Galyautdinov, N. V. Kurbatova, V. F. Valeev, V. V. Vorobev, Yu. N. Osin, “A diffraction grating created in diamond substrate by boron ion implantation”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 104–106 |
8
|
|
2016 |
| 4. |
М. Ф. Галяутдинов, В. И. Нуждин, Я. В. Фаттахов, Б. Ф. Фаррахов, В. Ф. Валеев, Ю. Н. Осин, А. Л. Степанов, “Формирование периодической дифракционной структуры на основе полиметилметакрилата с наночастицами серебра методом ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 42:4 (2016), 30–37 ; M. F. Galyautdinov, V. I. Nuzhdin, Ya. V. Fattakhov, B. F. Farrakhov, V. F. Valeev, Yu. N. Osin, A. L. Stepanov, “Formation of a periodic diffractive structure based on poly(methyl methacrylate) with ion-implanted silver nanoparticles”, Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 182–185 |
10
|
|
2010 |
| 5. |
Б. Ф. Фаррахов, М. Ф. Галяутдинов, Я. В. Фаттахов, М. В. Захаров, “Исследование нагрева и рекристаллизации в имплантированном кремнии при импульсном световом облучении”, Учен. зап. Казан. ун-та. Сер. Физ.-матем. науки, 152:3 (2010), 164–170 |
|
2007 |
| 6. |
А. П. Чукланов, Р. Г. Гатиятов, Д. А. Бизяев, П. А. Бородин, М. Ф. Галяутдинов, А. А. Бухараев, “Использование импульсного лазерного воздействия для формирования металлических микро- и наноструктур”, Учён. зап. Казан. гос. ун-та. Сер. Физ.-матем. науки, 149:1 (2007), 135–140 |
|
2000 |
| 7. |
Я. В. Фаттахов, М. Ф. Галяутдинов, Т. Н. Львова, И. Б. Хайбуллин, “О механизме формирования локального расплава на поверхности монокристаллических полупроводников при мощном световом облучении”, Квантовая электроника, 30:7 (2000), 597–600 [Ya. V. Fattakhov, M. F. Galyautdinov, T. N. L'vova, I. B. Khaibullin, “On the mechanism of local melting on the surface of monocrystalline semiconductors under intense light irradiation”, Quantum Electron., 30:7 (2000), 597–600 ] |
1
|
|
1983 |
| 8. |
С. А. Ахманов, И. Б. Хайбуллин, М. Ф. Галяутдинов, Н. И. Коротеев, Г. А. Пайтян, Е. И. Штырков, И. Л. Шумай, “Генерация второй гармоники при лазерном отжиге поверхности арсенида галлия”, Квантовая электроника, 10:6 (1983), 1077–1078 [S. A. Akhmanov, I. B. Khaibullin, M. F. Galyautdinov, N. I. Koroteev, G. A. Paǐtyan, E. I. Shtyrkov, I. L. Shumaǐ, “Second harmonic generation during laser annealing of the surface of gallium arsenide”, Sov J Quantum Electron, 13:6 (1983), 687–688 ] |
3
|
|
1981 |
| 9. |
М. Ф. Галяутдинов, Ю. К. Данилейко, М. М. Зарипов, А. А. Маненков, А. В. Сидорин, И. Б. Хайбуллин, Е. И. Штырков, “Отжиг имплантированных слоев кремния излучением импульсного $\mathrm{CO}_2$-лазера”, Докл. АН СССР, 257:5 (1981), 1110–1113 |
|
Обратная связь: