Я. В. Фаттахов, М. Ф. Галяутдинов, Т. Н. Львова, И. Б. Хайбуллин, “О механизме формирования локального расплава на поверхности монокристаллических полупроводников при мощном световом облучении”, Квантовая электроника, 30:7 (2000), 597–600 [Quantum Electron., 30:7 (2000), 597

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 7, страницы 597–600 (Mi qe1773)

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

О механизме формирования локального расплава на поверхности монокристаллических полупроводников при мощном световом облучении

Я. В. Фаттахов, М. Ф. Галяутдинов, Т. Н. Львова, И. Б. Хайбуллин

Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, Казанского Научного Центра РАН

PDF полного текста (242 kB) Список цитирования (1)

Аннотация: Исследована динамика анизотропного локального плавления монокристаллических полупроводников при облучении мощными импульсами когерентного и некогерентного света. Полученные in situ зависимости размеров и плотности (на единицу площади) локальных областей плавления от времени интерпретируются в рамках модели существования кратковременного метастабильного состояния, характеризующегося перегревом в твердой фазе. Обсуждаются эксперименты, необходимые для окончательного ответа на вопрос о механизме обнаруженного эффекта.

Поступила в редакцию: 16.12.1999

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2000, Volume 30, Issue 7, Pages 597–600
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2000v030n07ABEH001773

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 61.80.Ba, 61.82.Fk

Образец цитирования: Я. В. Фаттахов, М. Ф. Галяутдинов, Т. Н. Львова, И. Б. Хайбуллин, “О механизме формирования локального расплава на поверхности монокристаллических полупроводников при мощном световом облучении”, Квантовая электроника, 30:7 (2000), 597–600 [Quantum Electron., 30:7 (2000), 597–600]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe1773

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i7/p597

Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	125
PDF полного текста:	92
Первая страница:	2

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы