|
Квантовая электроника, 1983, том 10, номер 6, страницы 1077–1078
(Mi qe4269)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Письма в редакцию
Генерация второй гармоники при лазерном отжиге поверхности арсенида галлия
С. А. Ахмановab, И. Б. Хайбуллинab, М. Ф. Галяутдиновab, Н. И. Коротеевab, Г. А. Пайтянab, Е. И. Штырковab, И. Л. Шумайab a Казанский физико-технический институт Казанского филиала АН СССР
b Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация:
Процесс рекристаллизации поверхности GaAs при импульсном лазерном отжиге исследуется с помощью генерации второй гармоники излучения лазера с синхронизацией мод. Время рекристаллизации не превышает 30–40 нс. Результаты описываются расплавной теорией лазерного отжига.
Поступила в редакцию: 08.02.1983
Образец цитирования:
С. А. Ахманов, И. Б. Хайбуллин, М. Ф. Галяутдинов, Н. И. Коротеев, Г. А. Пайтян, Е. И. Штырков, И. Л. Шумай, “Генерация второй гармоники при лазерном отжиге поверхности арсенида галлия”, Квантовая электроника, 10:6 (1983), 1077–1078 [Sov J Quantum Electron, 13:6 (1983), 687–688]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4269 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v10/i6/p1077
|
|