Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Новоселов Константин Сергеевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 9
Научных статей: 9

Статистика просмотров:
Эта страница:693
Страницы публикаций:3525
Полные тексты:1085
Списки литературы:239
профессор
кандидат физико-математических наук
E-mail:
Сайт: https://www.manchester.ac.uk/research/konstantin.novoselov/

https://www.mathnet.ru/rus/person45907
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2023
1. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, С. В. Морозов, К. С. Новоселов, “Корреляционная кулоновская щель при магнитотуннелировании между слоями графена”, Письма в ЖЭТФ, 118:6 (2023),  438–444  mathnet; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, S. V. Morozov, K. S. Novoselov, “Coulomb correlation gap at magnetic tunneling between graphene layers”, JETP Letters, 118:6 (2023), 433–438
2020
2. М. В. Григорьев, Д. А. Казарян, Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, С. В. Морозов, К. С. Новоселов, “Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в $h$-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  238–243  mathnet  elib; M. V. Grigor'ev, D. A. Ghazaryan, E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, S. V. Morozov, K. S. Novoselov, “On the role of structural imperfections of graphene in resonant tunneling through localized states in the $h$-BN barrier of van-der-Waals heterostructures”, Semiconductors, 54:3 (2020), 291–296
2019
3. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, М. В. Григорьев, О. Макаровский, М. Алхазми, С. В. Морозов, А. Мищенко, К. С. Новоселов, “Туннелирование в графен/$h$-$BN$/графен гетероструктурах через нульмерные уровни дефектов $h$-$BN$ и их использование в качестве зонда для измерения плотности состояний графена”, Письма в ЖЭТФ, 109:7 (2019),  492–499  mathnet  elib; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, M. V. Grigor'ev, O. Makarovsky, Mahal Alhazmi, S. V. Morozov, A. Mishchenko, K. S. Novoselov, “Tunneling in graphene/h-BN/graphene heterostructures through zero-dimensional levels of defects in h-BN and their use as probes to measure the density of states of graphene”, JETP Letters, 109:7 (2019), 482–489  isi  scopus 7
4. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, А. Мищенко, К. С. Новоселов, “Наблюдение областей отрицательной дифференциальной проводимости и генерации тока при туннелировании через нульмерные уровни дефектов барьера $h$-BN в гетероструктурах графен/$h$-BN/графен”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1058–1062  mathnet  elib; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, A. Mishchenko, K. S. Novoselov, “Observation of regions of negative differential conductivity and current generation during tunneling through zero-dimensional defect levels of the $h$-BN barrier in graphene/$h$-BN/graphene heterostructures”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1038–1041 3
5. Е. Е. Вдовин, К. С. Новоселов, Ю. Н. Ханин, “Резонансно-туннельная спектроскопия ван-дер-ваальсовых гетеросистем”, Усп. хим., 88:11 (2019),  1081–1093  mathnet  elib; E. E. Vdovin, K. S. Novoselov, Yu. N. Khanin, “Resonant tunnelling spectroscopy of van der Waals heterosystems”, Russian Chem. Reviews, 88:11 (2019), 1081–1093  isi  scopus 1
2018
6. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, И. А. Ларкин, О. Макаровский, Ю. А. Склюева, А. Мищенко, Ю. Б. Ванг, А. Козиков, Р. В. Горбачев, К. С. Новоселов, “Наблюдение спинового и долинного расщепления уровней Ландау при магнитотуннелировании в графен/нитрид бора/графен структурах”, Письма в ЖЭТФ, 107:4 (2018),  242–247  mathnet  elib; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, I. A. Larkin, O. Makarovsky, Yu. A. Sklyuеva, A. Mishchenko, Yi Bo Wang, A. Kozikov, R. V. Gorbachev, K. S. Novoselov, “Observation of spin and valley splitting of Landau levels under magnetic tunneling in graphene/boron nitride/graphene structures”, JETP Letters, 107:4 (2018), 238–242  isi  scopus 4
2016
7. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, А. Мищенко, Ж. С. Ту, А. Козиков, К. С. Новоселов, Р. В. Горбачев, “Селективная спектроскопия туннельных переходов между уровнями Ландау в вертикальных графен–нитрид бора–графен гетероструктурах с двумя затворами”, Письма в ЖЭТФ, 104:5 (2016),  342–348  mathnet  elib; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, A. Mishchenko, J. S. Tu, A. Kozikov, K. S. Novoselov, R. V. Gorbachev, “Selective spectroscopy of tunneling transitions between the Landau levels in vertical double-gate graphene-boron nitride-graphene heterostructures”, JETP Letters, 104:5 (2016), 334–340  isi  scopus 7
2011
8. К. С. Новосёлов, “Графен: материалы Флатландии”, УФН, 181:12 (2011),  1299–1311  mathnet 42
2008
9. С. В. Морозов, К. С. Новоселов, А. К. Гейм, “Электронный транспорт в графене”, УФН, 178:7 (2008),  776–780  mathnet; S. V. Morozov, K. S. Novoselov, A. K. Geim, “Electron transport in graphene”, Phys. Usp., 51:7 (2008), 744–748  isi  scopus 103

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024