|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. В. Ненашев, А. А. Шкляев, Л. В. Кулик, А. В. Двуреченский, “Электронный парамагнитный резонанс в структурах с кольцевыми молекулами GeSi квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 113:1 (2021), 58–62   ; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. V. Nenashev, A. A. Shklyaev, L. V. Kulik, A. V. Dvurechenskii, “Electron spin resonance in heterostructures with ring molecules of GeSi quantum dots”, JETP Letters, 113:1 (2021), 52–56   |
1
|
|
2020 |
| 2. |
Д. А. Похабов, А. Г. Погосов, Е. Ю. Жданов, А. К. Бакаров, А. А. Шкляев, “Двухканальный электронный транспорт в подвешенных квантовых точечных контактах с боковыми затворами”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1344–1349 ; D. A. Pokhabov, A. G. Pogosov, E. Yu. Zhdanov, A. K. Bakarov, A. A. Shklyaev, “Double-channel electron transport in suspended quantum point contacts with in-plane side gates”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1605–1610 |
5
|
|
2019 |
| 3. |
A. A. Shevyrin, A. K. Bakarov, A. A. Shklyaev, A. S. Arakcheev, M. Kurosu, H. Yamaguchi, A. G. Pogosov, “On-chip piezoelectric actuation of nanomechanical resonators containing a two-dimensional electron gas”, Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019), 254–255 ; JETP Letters, 109:4 (2019), 261–265 |
2
|
|
2017 |
| 4. |
Г. К. Кривякин, В. А. Володин, А. А. Шкляев, V. Mortet, J. More-Chevalier, P. Ashcheulov, Z. Remes, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Формирование и исследование $p$–$i$–$n$-структур на основе двухфазного гидрогенизированного кремния со слоем германия в $i$-области”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1420–1425 ; G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, A. A. Shklyaev, V. Mortet, J. More-Chevalier, P. Ashcheulov, Z. Remes, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Formation and study of $p$–$i$–$n$ structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the $i$-type region”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1370–1376 |
6
|
|
2011 |
| 5. |
О. Е. Терещенко, К. А. Кох, В. В. Атучин, К. Н. Романюк, С. В. Макаренко, В. А. Голяшов, А. С. Кожухов, И. П. Просвирин, А. А. Шкляев, “Стабильность поверхности (0001) топологического
изолятора Bi$^2$Se$^3$”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 500–503 ; O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, V. V. Atuchin, K. N. Romanyuk, S. V. Makarenko, V. A. Golyashov, A. S. Kozhukhov, I. P. Prosvirin, A. A. Shklyaev, “Stability of the (0001) surface of the Bi$^2$Se$^3$ topological insulator”, JETP Letters, 94:6 (2011), 465–468 |
25
|
| 6. |
А. А. Шкляев, К. Н. Романюк, А. В. Латышев, А. В. Аржанников, “Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на
оксидированной поверхности Si(111)”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 477–480 ; A. A. Shklyaev, K. N. Romanyuk, A. V. Latyshev, A. V. Arzhannikov, “Effect of dislocations on the shape of islands during silicon growth on the oxidized Si(111) surface”, JETP Letters, 94:6 (2011), 442–445 |
6
|
| 7. |
К. Н. Романюк, А. А. Шкляев, Б. З. Ольшанецкий, А. В. Латышев, “Формирование кластеров Ge на поверхности Si(111)–Bi–$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$”, Письма в ЖЭТФ, 93:11 (2011), 740–745 ; K. N. Romanyuk, A. A. Shklyaev, B. Z. Olshanetsky, A. V. Latyshev, “Formation of Ge clusters at a Si(111)-Bi-$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$ surface”, JETP Letters, 93:11 (2011), 661–666 |
3
|
|
2008 |
| 8. |
А. А. Шкляев, М. Ичикава, “Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния”, УФН, 178:2 (2008), 139–169 ; A. A. Shklyaev, M. Ichikawa, “Extremely dense arrays of germanium and silicon nanostructures”, Phys. Usp., 51:2 (2008), 133–161 |
75
|
|
2006 |
| 9. |
А. А. Шкляев, М. Ичикава, “Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа”, УФН, 176:9 (2006), 913–930 ; A. A. Shklyaev, M. Ichikawa, “Fabrication of germanium and silicon nanostructures using a scanning tunneling microscope”, Phys. Usp., 49:9 (2006), 887–903 |
10
|
|
Обратная связь: