|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ
Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа
А. А. Шкляевab, М. Ичикаваa a Quantum-Phase Electronics Center, Department of Applied Physics, The University of Tokyo and Japan Science and Technology Agency, CREST, Tokyo, Japan
b Институт физики полупроводников СО РАН
Аннотация:
Рассмотрено состояние исследований по созданию наноструктур на поверхностях полупроводников с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). Анализируется процесс непрерывного переноса атомов при направленной поверхностной диффузии под действием электрического поля СТМ в условиях испарения поверхностных атомов полем. Исследуется влияние облучения внешним электронным пучком на взаимодействие образца и зонда. Облучение создает условия как для уменьшения барьера для прямых межатомных реакций, так и для изменения направления переноса атомов между зондом и образцом. Показаны возможности создания наноструктур, таких, как островки и линии германия и кремния, а также окон кремния на окисленной поверхности кремния.
Поступила: 22 февраля 2006 г.
Образец цитирования:
А. А. Шкляев, М. Ичикава, “Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа”, УФН, 176:9 (2006), 913–930; Phys. Usp., 49:9 (2006), 887–903
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn364 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v176/i9/p913
|
|