|
Эта публикация цитируется в 75 научных статьях (всего в 75 статьях)
ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ
Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния
А. А. Шкляевabc, М. Ичикаваcb a Институт физики полупроводников СО РАН
b Japan Science and Technology Agency
c Quantum-Phase Electronics Center, Department of Applied Physics, The University of Tokyo
Аннотация:
В обзоре анализируются результаты исследования поверхностных процессов образования наноструктур германия и кремния. Рассмотрены закономерности зарождения трехмерных островков и релаксации напряженного двумерного слоя при гетероэпитаксии германия на кремнии, которые вызывают самопроизвольный рост островков. Окисление поверхности кремния перед осаждением германия или кремния кардинально изменяет механизм роста и приводит к созданию островков с предельно высокой плотностью $10^{12}$–$10^{13}$ см$^{-2}$ и размерами менее 10 нм. Их свойства определяются эффектами пространственного квантования. Массивы этих островков, в свою очередь, образуют уникальную поверхность для роста на ней слоев кремния, способных излучать фотоны с длиной волны 1,5–1,6 мкм.
Поступила: 1 февраля 2007 г. Доработана: 21 июля 2007 г.
Образец цитирования:
А. А. Шкляев, М. Ичикава, “Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния”, УФН, 178:2 (2008), 139–169; Phys. Usp., 51:2 (2008), 133–161
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn559 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v178/i2/p139
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 549 | PDF полного текста: | 113 | Список литературы: | 72 | Первая страница: | 1 |
|