S. Sh. Rekhviashvili, “Rotation of a spiral galaxy without dark matter”, Доклады АМАН, 24:1 (2024), 45–48
2.
С. Ш. Рехвиашвили, А. А. Сокуров, “Моделирование свойств малой капли на частично смачиваемой поверхности твердого тела”, ЖТФ, 94:4 (2024), 554–560
3.
С.Ш. Рехвиашвили, Д. С. Гаев, З. Ч. Маргушев, “Механизм лазерно-индуцированного широкополосного излучения поликристаллического графита”, ТВТ, 62:1 (2024), 18–23
2022
4.
С.Ш. Рехвиашвили, “Электрон в квантовой яме с зарядами на стенках”, Челяб. физ.-матем. журн., 7:3 (2022), 365–373
5.
С.Ш. Рехвиашвили, Д. С. Гаев, З. Ч. Маргушев, “Широкополосное излучение поликристаллического графита”, Квантовая электроника, 52:4 (2022), 382–385 [S.Sh. Rekhviashvili, D. S. Gaev, Z. Ch. Margushev, “Broadband emission from polycrystalline graphite”, Quantum Electron., 52:4 (2022), 382–385]
2021
6.
С.Ш. Рехвиашвили, Д. С. Гаев, З. Ч. Маргушев, “Антистоксова люминесценция в углеродных материалах”, Оптика и спектроскопия, 129:12 (2021), 1589–1593; S.Sh. Rekhviashvili, D. S. Gaev, Z. Ch. Margushev, “Anti-Stokes luminescence in carbon materials”, Optics and Spectroscopy, 130:1 (2022), 23–27
С.Ш. Рехвиашвили, М. М. Бухурова, “Молекулы фуллерена C$_{60}$ под однослойным графеном на металлической подложке”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 592–595; S.Sh. Rekhviashvili, M. M. Bukhurova, “C$_{60}$ fullerene molecules under single-layer graphene on a metal substrate”, Semiconductors, 55:7 (2021), 621–624
9.
С.Ш. Рехвиашвили, А. В. Псху, З. Ч. Маргушев, “Излучение дробного осциллятора”, Письма в ЖТФ, 47:22 (2021), 49–51
10.
С.Ш. Рехвиашвили, М. М. Бухурова, “Равновесные параметры бислойного графена, заполненного молекулами фуллерена С$_{60}$”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 18–19; S.Sh. Rekhviashvili, M. M. Bukhurova, “Equilibrium parameters of bilayer graphene filled with fullerene С$_{60}$ molecules”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 403–404
Р. М. Никонова, В. И. Ладьянов, С. Ш. Рехвиашвили, А. В. Псху, “Термическая стабильность фуллеритов $\rm C_{60}$ и $\rm C_{70}$”, ТВТ, 59:2 (2021), 183–188; R. M. Nikonova, V. I. Lad'yanov, S. Sh. Rekhviashvili, A. V. Pskhu, “Thermal stability of $\rm C_{60}$ and $\rm C_{70}$ fullerites”, High Temperature, 59:2 (2021), 161–165
С.Ш. Рехвиашвили, А. В. Псху, А. М. Кидакоев, “Моделирование колебаний балки с одним заделанным и другим свободным концом с применением дробного интегро-дифференцирования”, Доклады АМАН, 20:3 (2020), 19–23
13.
С.Ш. Рехвиашвили, “Широкополосное излучение малых диэлектрических частиц”, Оптика и спектроскопия, 128:9 (2020), 1323–1326; S.Sh. Rekhviashvili, “Broadband radiation of small dielectric particles”, Optics and Spectroscopy, 128:9 (2020), 1435–1438
М. М. Бухурова, С.Ш. Рехвиашвили, “Применение межатомных потенциалов взаимодействия для моделирования наносистем”, Вестник КРАУНЦ. Физ.-мат. науки, 33:4 (2020), 166–187
2019
15.
С.Ш. Рехвиашвили, А. В. Псху, “Новый метод описания затухающих колебаний балки с одним заделанным концом”, ЖТФ, 89:9 (2019), 1314–1318; S.Sh. Rekhviashvili, A. V. Pskhu, “A new method of describing for vibration damping of a beam built-in at one end”, Tech. Phys., 64:9 (2019), 1237–1241
С.Ш. Рехвиашвили, М. М. Бухурова, “Устойчивость углеродной нанолуковицы в контакте с графитовой подложкой”, Письма в ЖТФ, 45:12 (2019), 9–11; S.Sh. Rekhviashvili, M. M. Bukhurova, “Stability of a carbon nano-onion in contact with a graphite substrate”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 591–593
А. В. Псху, С.Ш. Рехвиашвили, “Анализ вынужденных колебаний дробного осциллятора”, Письма в ЖТФ, 45:1 (2019), 34–37; A. V. Pskhu, S.Sh. Rekhviashvili, “Analysis of forced oscillations of a fractional oscillator”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1218–1221
С. Ш. Рехвиашвили, А. А. Сокуров, М. М. Бухурова, “Теплоемкость упорядоченного массива одностенных углеродных нанотрубок”, ТВТ, 57:4 (2019), 524–528; S. Sh. Rekhviashvili, A. A. Sokurov, M. M. Bukhurova, “Heat capacity of an ordered bundle of single-walled carbon nanotubes”, High Temperature, 57:4 (2019), 482–485
А. А. Потапов, С.Ш. Рехвиашвили, “Моделирование некоторых свойств изображений с атомарным разрешением в сканирующем зондовом микроскопе”, ЖТФ, 88:6 (2018), 803–807; A. A. Potapov, S.Sh. Rekhviashvili, “Simulation of properties of images with atomic resolution in a scanning probe microscope”, Tech. Phys., 63:6 (2018), 777–781
С.Ш. Рехвиашвили, М. М. Бухурова, “Равновесные параметры взаимодействия молекулы фуллерена С$_{60}$ с однослойной углеродной нанотрубкой”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 24–29; S.Sh. Rekhviashvili, M. M. Bukhurova, “Equilibrium parameters of the interaction of a С$_{60}$ fullerene molecule with a single-walled carbon nanotube”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1059–1061
С.Ш. Рехвиашвили, “Уравнение состояния фуллерита C$_{60}$”, Физика твердого тела, 59:4 (2017), 816–818; S.Sh. Rekhviashvili, “Equation of state for fullerite C$_{60}$”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 835–837
С.Ш. Рехвиашвили, А. А. Алиханов, “Моделирование диффузионно-дрейфового транспорта носителей заряда в полупроводниковых слоях с фрактальной структурой в переменном электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 787–791; S.Sh. Rekhviashvili, A. A. Alikhanov, “Simulation of drift-diffusion transport of charge carriers in semiconductor layers with a fractal structure in an alternating electric field”, Semiconductors, 51:6 (2017), 755–759
С. Ш. Рехвиашвили, Х. Л. Кунижев, “Исследование влияния решеточного ангармонизма на теплоемкость алмаза, кремния и германия”, ТВТ, 55:2 (2017), 320–323; S. Sh. Rekhviashvili, Kh. L. Kunizhev, “Investigation of the influence of lattice anharmonicity on the specific heats of diamond, silicon, and germanium”, High Temperature, 55:2 (2017), 312–314
С.Ш. Рехвиашвили, Мурат О. Мамчуев, Мухтар О. Мамчуев, “Модель диффузионно-дрейфового транспорта носителей заряда в слоях с фрактальной структурой”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 763–766; S.Sh. Rekhviashvili, Murat O. Mamchuev, Mukhtar O. Mamchuev, “Model of diffusion-drift charge carrier transport in layers with a fractal structure”, Phys. Solid State, 58:4 (2016), 788–791
С.Ш. Рехвиашвили, “Влияние адсорбции из внешней среды
на силу взаимодействия «зонд – образец»
в атомно-силовом микроскопе”, Известия Кабардино-Балкарского научного центра РАН, 2016, № 5, 14–18
27.
М. М. Ошхунов, С.Ш. Рехвиашвили, В. В. Нарожнов, “Исследование соударений осциллятора
с упругим полупространством”, Известия Кабардино-Балкарского научного центра РАН, 2016, № 3, 13–17
28.
Х. М. Сенов, С.Ш. Рехвиашвили, “Рассеяние электромагнитных волн телами и частицами со свободными поверхностными зарядами”, Известия Кабардино-Балкарского научного центра РАН, 2016, № 1, 34–41
2015
29.
С.Ш. Рехвиашвили, Х. М. Сенов, “О теплофизических свойствах объемных
твердотельных слоев с фрактальной структурой”, Известия Кабардино-Балкарского научного центра РАН, 2015, № 6-1, 28–34
2008
30.
С. Ш. Рехвиашвили, Б. А. Розенберг, В. В. Дремов, “Влияние размерной зависимости поверхностного натяжения жидкой пленки на капиллярную силу в атомно-силовом микроскопе”, Письма в ЖЭТФ, 88:11 (2008), 887–891; S. Sh. Rekhviashvili, B. A. Rozenberg, V. V. Dremov, “Influence of the size-dependent surface tension of a liquid film on a capillary force in an atomic force microscope”, JETP Letters, 88:11 (2008), 772–776
Обратная связь: