Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 787–791
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44558.8433 (Mi phts6136) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Моделирование диффузионно-дрейфового транспорта носителей заряда в полупроводниковых слоях с фрактальной структурой в переменном электрическом поле

С.Ш. Рехвиашвили, А. А. Алиханов

Институт прикладной математики и автоматизации КБНЦ Российской академии наук, Нальчик, Россия
PDF полного текста (319 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44558.8433
Аннотация: На основе дифференциального уравнения в частных производных дробного порядка проведено моделирование диффузионно-дрейфового транспорта носителей заряда в полупроводниковом слое с фрактальной структурой под действием продольного переменного электрического поля. В рамках модели показано, что в слоях с фрактальной структурой имеют место уширение и асимметрия пространственно-временных распределений носителей заряда. При определенных условиях наблюдается эффект удвоения частоты осцилляций заряда во внешнем переменном электрическом поле.
Поступила в редакцию: 22.11.2016
Принята в печать: 23.11.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 6, Pages 755–759
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617060264
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С.Ш. Рехвиашвили, А. А. Алиханов, “Моделирование диффузионно-дрейфового транспорта носителей заряда в полупроводниковых слоях с фрактальной структурой в переменном электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 787–791; Semiconductors, 51:6 (2017), 755–759
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RekAli17}
\by С.Ш.~Рехвиашвили, А.~А.~Алиханов
\paper Моделирование диффузионно-дрейфового транспорта носителей заряда в полупроводниковых слоях с фрактальной структурой в переменном электрическом поле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 787--791
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6136}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44558.8433}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404946}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 755--759
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617060264}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6136
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p787
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024