|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
А. С. Пащенко, Л. С. Лунин, С. Н. Чеботарев, М. Л. Лунина, “Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 581–585   ; A. S. Pashchenko, L. S. Lunin, S. N. Chebotarev, M. L. Lunina, “Study of the structural and luminescence properties of InAs/GaAs heterostructures with Bi-doped potential barriers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 729–733 |
3
|
|
2017 |
| 2. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. А. Арустамян, А. Е. Казакова, С. Н. Чеботарев, “Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1426–1433 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, D. A. Arustamyan, A. E. Kazakova, S. N. Chebotarev, “Growth and properties of isoparametric InAlGaPAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1377–1384 |
8
|
|
2016 |
| 3. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, С. Н. Чеботарев, “Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1695–1700 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, S. N. Chebotarev, “Growth and properties of GaInPSbAs isoperiodic solid solutions on indium arsenide substrates”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1751–1757 |
5
|
| 4. |
А. С. Пащенко, С. Н. Чеботарев, Л. С. Лунин, В. А. Ирха, “Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 553–556 ; A. S. Pashchenko, S. N. Chebotarev, L. S. Lunin, V. A. Irkha, “Specific features of doping with antimony during the ion-beam crystallization of silicon”, Semiconductors, 50:4 (2016), 545–548 |
4
|
|
Обратная связь: