|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Н. Х. Тимошина, Б. В. Пушный, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм) на основе GaInAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1641–1646   ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, R. V. Levin, A. E. Marichev, N. Kh. Timoshina, B. V. Pushnii, “GaInAsP/InP-based laser power converters ($\lambda$ = 1064 nm)”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1748–1753 |
10
|
| 2. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, “Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 385–389 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, “Modification of photovoltaic laser-power ($\lambda$ = 808 nm) converters grown by LPE”, Semiconductors, 52:3 (2018), 366–370 |
16
|
| 3. |
Н. С. Потапович, Н. Х. Тимошина, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения на основе гетероструктур InP(GaAs)/InP, полученные методом жидкофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 31–38 ; N. S. Potapovich, N. Kh. Timoshina, V. P. Khvostikov, “Photovoltaic laser-power converters based on LPE-grown InP(GaAs)/InP heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 820–822 |
1
|
|
2017 |
| 4. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, Н. Х. Тимошина, М. М. Кулагина, А. Б. Смирнов, “Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 699–703 ; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, N. Kh. Timoshina, M. M. Kulagina, A. B. Smirnov, “Formation of a $p$-type emitter with the involvement of surfactants in GaAs photoelectric converters”, Semiconductors, 51:5 (2017), 667–671 |
1
|
| 5. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, “Фотоэлектрический приемник лазерного излучения ($\lambda$ = 809 нм) на основе GаAs”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 676–679 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, “Laser ($\lambda$ = 809 nm) power converter based on GaAs”, Semiconductors, 51:5 (2017), 645–648 |
17
|
| 6. |
Д. В. Рыбальченко, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 94–100 ; D. V. Rybalchenko, S. A. Mintairov, R. A. Salii, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Optimization of structural and growth parameters of metamorphic InGaAs photovoltaic converters grown by MOCVD”, Semiconductors, 51:1 (2017), 93–99 |
15
|
|
2016 |
| 7. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1358–1362 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, R. V. Levin, B. V. Pushnii, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “GaSb laser-power ($\lambda$ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1338–1343 |
9
|
| 8. |
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, В. М. Емельянов, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1242–1246 ; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, V. M. Emelyanov, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1220–1224 |
42
|
| 9. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 987–992 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “On current spreading in solar cells: a two-parameter tube model”, Semiconductors, 50:7 (2016), 970–975 |
4
|
| 10. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Д. В. Рыбальченко, Р. А. Салий, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 525–530 ; S. A. Mintairov, V. M. Emelyanov, D. V. Rybalchenko, R. A. Salii, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Heterostructures of metamorphic GaInAs photovoltaic converters fabricated by MOCVD on GaAs substrates”, Semiconductors, 50:4 (2016), 517–522 |
10
|
|
Обратная связь: