Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Толбанов Олег Петрович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 5
Научных статей: 5

Статистика просмотров:
Эта страница:39
Страницы публикаций:160
Полные тексты:87

https://www.mathnet.ru/rus/person188374
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2019
1. А. В. Алмаев, Н. Н. Яковлев, Е. В. Черников, О. П. Толбанов, “Селективные сенсоры двуокиси азота на основе тонких пленок оксида вольфрама при воздействии оптического излучения”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019),  7–10  mathnet  elib; A. V. Almaev, N. N. Yakovlev, E. V. Chernikov, O. P. Tolbanov, “Selective sensors of nitrogen dioxide based on thin tungsten oxide films under optical irradiation”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1016–1019 7
2018
2. В. М. Калыгина, И. Л. Ремезова, О. П. Толбанов, “Проводимость гетеропереходов Ga$_{2}$O$_{3}$–GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  154–160  mathnet  elib; V. M. Kalygina, I. L. Remizova, O. P. Tolbanov, “Conductivity of Ga$_{2}$O$_{3}$–GaAs heterojunctions”, Semiconductors, 52:2 (2018), 143–149 1
3. И. А. Прудаев, М. Г. Верхолетов, А. Д. Королёва, О. П. Толбанов, “Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных $S$-диодов на основе GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:11 (2018),  21–29  mathnet  elib; I. A. Prudaev, M. G. Verkholetov, A. D. Koroleva, O. P. Tolbanov, “Charge carrier transport and deep levels recharge in avalanche $S$-diodes based on GaAs”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 465–468 12
2016
4. В. М. Калыгина, И. М. Егорова, В. А. Новиков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, “Связь структурно-фазовых изменений в пленках оксида титана с электрическими и фотоэлектрическими характеристиками структур TiO$_{2}$–Si”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1178–1184  mathnet  elib; V. M. Kalygina, I. M. Egorova, V. А. Novikov, I. A. Prudaev, O. P. Tolbanov, “Relation between the structural and phase transformations in titanium-oxide films and the electrical and photoelectric properties of TiO$_{2}$–Si structures”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1156–1162 2
5. В. М. Калыгина, И. М. Егорова, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, “Механизм проводимости пленок оксида титана и структур металл–TiO$_{2}$–Si”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1036–1040  mathnet  elib; V. M. Kalygina, I. M. Egorova, I. A. Prudaev, O. P. Tolbanov, “Conduction in titanium dioxide films and metal–TiO$_{2}$–Si structures”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1015–1019 2

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024