|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Селективные сенсоры двуокиси азота на основе тонких пленок оксида вольфрама при воздействии оптического излучения
А. В. Алмаев, Н. Н. Яковлев, Е. В. Черников, О. П. Толбанов Национальный исследовательский Томский государственный университет
Аннотация:
Показана возможность селективного детектирования NO$_{2}$ в воздухе начиная с концентрации 1 ppm сенсорами на основе тонких пленок Au/WO$_{3}$ : Au при замене постоянного нагрева облучением диодом с длиной волны максимума интенсивности излучения 400 nm. Активация облучением фотодесорбции на порядок снижает времена отклика сенсоров при воздействии NO$_{2}$. Установлено, что воздействие высокой влажности в условиях облучения сенсоров при комнатной температуре приводит к повышению отклика на NO$_{2}$ за счет появления дополнительных центров адсорбции. Отсутствие отклика сенсоров на восстановительные газы и изменение концентрации кислорода в газовой смеси вызвано фотодесорбцией хемосорбированных частиц O$_{2}^{-}$ при взаимодействии с генерируемыми при собственных переходах дырками в приповерхностной части WO$_{3}$.
Ключевые слова:
оксид вольфрама, двуокись азота, тонкие пленки, магнетронное распыление, оптическое излучение.
Поступила в редакцию: 03.06.2019 Исправленный вариант: 24.06.2019 Принята в печать: 26.06.2019
Образец цитирования:
А. В. Алмаев, Н. Н. Яковлев, Е. В. Черников, О. П. Толбанов, “Селективные сенсоры двуокиси азота на основе тонких пленок оксида вольфрама при воздействии оптического излучения”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 7–10; Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1016–1019
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5286 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i20/p7
|
|