Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Яковлев Георгий Евгеньевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 5
Научных статей: 5

Статистика просмотров:
Эта страница:61
Страницы публикаций:280
Полные тексты:103

https://www.mathnet.ru/rus/person188282
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2019
1. Д. С. Фролов, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, “Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  281–286  mathnet  elib; D. S. Frolov, G. E. Yakovlev, V. I. Zubkov, “Technique for the electrochemical capacitance–voltage profiling of heavily doped structures with a sharp doping profile”, Semiconductors, 53:2 (2019), 268–272 10
2. Г. Е. Яковлев, И. А. Няпшаев, И. С. Шахрай, Д. А. Андроников, В. И. Зубков, Е. И. Теруков, “Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 45:17 (2019),  39–42  mathnet  elib; G. E. Yakovlev, I. A. Nyapshaev, I. S. Shahray, D. A. Andronikov, V. I. Zubkov, E. I. Terukov, “Through concentration profiling of heterojunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 890–893 2
2018
3. Г. Е. Яковлев, М. В. Дорохин, В. И. Зубков, А. Л. Дудин, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, “Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  873–880  mathnet  elib; G. E. Yakovlev, M. V. Dorokhin, V. I. Zubkov, A. L. Dudin, A. V. Zdoroveyshchev, E. I. Malysheva, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, “Specific features of the electrochemical capacitance–voltage profiling of GaAs LED and pHEMT structures with quantum-confined regions”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1004–1011 9
2017
4. М. В. Дорохин, С. В. Зайцев, А. В. Рыков, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, В. И. Зубков, Д. С. Фролов, Г. Е. Яковлев, А. В. Кудрин, “Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции”, ЖТФ, 87:10 (2017),  1539–1544  mathnet  elib; M. V. Dorokhin, S. V. Zaitsev, A. V. Rykov, A. V. Zdoroveyshchev, E. I. Malysheva, Yu. A. Danilov, V. I. Zubkov, D. S. Frolov, G. E. Yakovlev, A. V. Kudrin, “Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped with transition elements: II. Study of the circularly polarized luminescence”, Tech. Phys., 62:10 (2017), 1545–1550 4
2016
5. Г. Е. Яковлев, Д. С. Фролов, А. В. Зубкова, Е. Е. Левина, В. И. Зубков, А. В. Соломонов, О. К. Стерлядкин, С. А. Сорокин, “Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  324–330  mathnet  elib; G. E. Yakovlev, D. S. Frolov, A. V. Zubkova, E. E. Levina, V. I. Zubkov, A. V. Solomonov, O. K. Sterlyadkin, S. A. Sorokin, “Investigation of ion-implanted photosensitive silicon structures by electrochemical capacitance–voltage profiling”, Semiconductors, 50:3 (2016), 320–325 13

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024