Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 281–286
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47114.8966 (Mi phts5602) 		 
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси

Д. С. Фролов, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (179 kB) Список цитирования (10)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47114.8966
Аннотация: Рассмотрены особенности применения метода электрохимического вольт-фарадного профилирования для исследования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси. Приведены критерии и даны рекомендации выбора оптимальных параметров измерения, обоснована необходимость увеличения частоты, при которой измеряется емкость в процессе профилирования. Описанная методика рассмотрена на примере профилирования кремниевых структур $p$-типа с ионной имплантацией, а также $n$-GaAs эпитаксиальных и подложечных структур для $p$HEMT приборов.
Поступила в редакцию: 01.08.2018
Исправленный вариант: 13.08.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 2, Pages 268–272
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619020076
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. С. Фролов, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, “Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 281–286; Semiconductors, 53:2 (2019), 268–272
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FroYakZub19}
\by Д.~С.~Фролов, Г.~Е.~Яковлев, В.~И.~Зубков
\paper Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 281--286
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5602}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47114.8966}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476949}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 268--272
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619020076}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5602
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p281
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024