Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 324–330 (Mi phts6511)  
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования

Г. Е. Яковлевa, Д. С. Фроловa, А. В. Зубковаa, Е. Е. Левинаb, В. И. Зубковa, А. В. Соломоновa, О. К. Стерлядкинb, С. А. Сорокинb

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
b АО "ЦНИИ "Электрон", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (249 kB) Список цитирования (13)
Аннотация: Методом электрохимического вольт-фарадного профилирования исследованы имплантированные бором кремниевые структуры для ПЗС-матриц с обратной засветкой. Исследовалась серия специально подготовленных структур с различными энергией и дозой имплантации, а также с покровными слоями из алюминия, оксида кремния и их комбинации. Экспериментально получены профили распределения основных носителей заряда по глубине исследуемых структур. Также с использованием уравнения Пуассона и уравнения Фредгольма первого рода проведен расчет распределения концентрации носителей заряда и напряженности электрического поля в структурах. На основе анализа и сопоставления теоретических и экспериментальных концентрационных профилей предложены рекомендации по оптимизации параметров структур для увеличения значения тянущего поля и уменьшения влияния поверхностного потенциала на транспорт носителей заряда.
Поступила в редакцию: 24.06.2015
Принята в печать: 08.07.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 3, Pages 320–325
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030234
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Е. Яковлев, Д. С. Фролов, А. В. Зубкова, Е. Е. Левина, В. И. Зубков, А. В. Соломонов, О. К. Стерлядкин, С. А. Сорокин, “Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 324–330; Semiconductors, 50:3 (2016), 320–325
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YakFroZub16}
\by Г.~Е.~Яковлев, Д.~С.~Фролов, А.~В.~Зубкова, Е.~Е.~Левина, В.~И.~Зубков, А.~В.~Соломонов, О.~К.~Стерлядкин, С.~А.~Сорокин
\paper Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 324--330
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6511}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668165}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 320--325
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616030234}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6511
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p324
    • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025