Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 17, страницы 39–42
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.17.48223.17880 (Mi pjtf5336) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов

Г. Е. Яковлевa, И. А. Няпшаевbc, И. С. Шахрайb, Д. А. Андрониковb, В. И. Зубковa, Е. И. Теруковabc

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
b НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (114 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.17.48223.17880
Аннотация: Методом электрохимического вольт-фарадного профилирования исследованы гетероструктурные солнечные элементы на основе монокристаллического кремния. Проанализированы особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования современных многослойных гетероструктурных солнечных элементов. Получены профили распределения концентрации основных носителей заряда по всей толщине образцов, в том числе впервые в слоях проводящего оксида индия-олова.
Ключевые слова: электрохимическое вольт-фарадное профилирование, гетероструктурные солнечные элементы, монокристаллический кремний, аморфный кремний.
Поступила в редакцию: 17.05.2019
Исправленный вариант: 17.05.2019
Принята в печать: 31.05.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 9, Pages 890–893
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501909013X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Е. Яковлев, И. А. Няпшаев, И. С. Шахрай, Д. А. Андроников, В. И. Зубков, Е. И. Теруков, “Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 45:17 (2019), 39–42; Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 890–893
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YakNyaSha19}
\by Г.~Е.~Яковлев, И.~А.~Няпшаев, И.~С.~Шахрай, Д.~А.~Андроников, В.~И.~Зубков, Е.~И.~Теруков
\paper Сквозное концентрационное профилирование гетероструктурных солнечных элементов
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 17
\pages 39--42
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5336}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.17.48223.17880}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41175057}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 9
\pages 890--893
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501909013X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5336
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i17/p39
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024