|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. В. Горбатова, Д. И. Хусяинов, А. Э. Ячменев, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, А. М. Буряков, Е. Д. Мишина, “Фотопроводящий THz-детектор на основе сверхрешеточной гетероструктуры с плазмонным усилением”, Письма в ЖТФ, 46:22 (2020), 10–14   ; A. V. Gorbatova, D. I. Khusyainov, A. E. Yachmenev, R. A. Khabibullin, D. S. Ponomarev, A. M. Buryakov, E. D. Mishina, “A photoconductive THz detector based on a superlattice heterostructure with plasmonic amplification”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1111–1115 |
8
|
|
2019 |
| 2. |
А. В. Горбатова, Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, “Генерация терагерцевого излучения с поверхности монослойного WSe$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 44–47 ; A. V. Gorbatova, D. I. Khusyainov, A. M. Buryakov, “Terahertz emission from a monolayer tungsten diselenide surface”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1262–1265 |
9
|
|
2018 |
| 3. |
Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Н. Клочков, А. Э. Ячменев, А. С. Бугаев, Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, В. Р. Билык, Е. Д. Мишина, “Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 723–728 ; D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. N. Klochkov, A. E. Yachmenev, A. S. Bugaev, D. I. Khusyainov, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, “Ultrafast dynamics of photoexcited charge carriers in In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As superlattices under femtosecond laser excitation”, Semiconductors, 52:7 (2018), 864–869 |
5
|
| 4. |
А. М. Буряков, Д. И. Хусяинов, Е. Д. Мишина, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, Д. С. Пономарев, “Роль энергии фотонов возбуждения в динамике фотоиндуцированных носителей заряда в сверхрешеточных гетероструктурах InGaAs/InAlAs”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 146–157 ; A. M. Buryakov, D. I. Khusyainov, E. D. Mishina, R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, D. S. Ponomarev, “The role of excitation photons energy in the photoinduced carrier dynamics in InGaAs/InAlAs superlattice heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1115–1119 |
3
|
| 5. |
С. А. Номоев, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, К. И. Козловский, А. А. Чистяков, Е. Д. Мишина, Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, “Влияние режима отжига на свойства терагерцевой фотопроводящей антенны на основе LT-GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:2 (2018), 11–17 ; S. A. Nomoev, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, K. I. Kozlovskii, A. A. Chistyakov, E. D. Mishina, D. I. Khusyainov, A. M. Buryakov, “The influence of the annealing regime on the properties of terahertz antennas based on low-temperature-grown gallium arsenide”, Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 44–46 |
5
|
|
2017 |
| 6. |
Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, А. М. Буряков, В. Р. Билык, Е. Д. Мишина, Е. А. Климов, И. С. Васильевский, П. П. Мальцев, “Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 529–534 ; G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, E. A. Klimov, I. S. Vasil'evskii, P. P. Maltsev, “Terahertz-radiation generation and detection in low-temperature-grown GaAs epitaxial films on GaAs (100) and (111)A substrates”, Semiconductors, 51:4 (2017), 503–508 |
17
|
| 7. |
Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, В. Р. Билык, Е. Д. Мишина, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, “Эпитаксиальные напряжения в фотопроводящем слое InGaAs для THz-антенн”, Письма в ЖТФ, 43:22 (2017), 48–54 ; D. I. Khusyainov, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, “Epitaxial stresses in an InGaAs photoconductive layer for terahertz antennas”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1020–1022 |
8
|
|
Обратная связь: