|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
Генерация терагерцевого излучения с поверхности монослойного WSe$_{2}$
А. В. Горбатова, Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков МИРЭА — Российский технологический университет, г. Москва
Аннотация:
Впервые исследованы параметры генерации терагерцевого излучения в двумерной пленке WSe$_{2}$, выращенной методом химического осаждения из газовой фазы. Определен основной механизм генерации терагерцевого излучения в рассматриваемой структуре. Исследована зависимость амплитуды терагерцевого сигнала от азимутального угла двумерной пленки WSe$_{2}$. Проведен расчет распределения электрического поля лазерной накачки в структуре WSe$_{2}$/SiO$_{2}$/Si в зависимости от толщины диоксида кремния. Теоретически обоснован выбор оптимальной геометрии структуры для эффективной генерации терагерцевого излучения монослойной пленкой WSe$_{2}$.
Ключевые слова:
двумерные полупроводники, дихалькогениды переходных металлов, диселенид вольфрама (WSe$_{2}$), терагерцевая эмиссия, оптическое выпрямление.
Поступила в редакцию: 12.09.2019 Исправленный вариант: 12.09.2019 Принята в печать: 20.09.2019
Образец цитирования:
А. В. Горбатова, Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, “Генерация терагерцевого излучения с поверхности монослойного WSe$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 44–47; Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1262–1265
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5242 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i24/p44
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 20 |
|