|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
1. |
К. В. Лихачев, А. М. Скоморохов, М. В. Учаев, Ю. А. Успенская, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, И. А. Елисеев, А. Н. Смирнов, Д. Д. Крамущенко, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки”, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024), 367–373 |
|
2023 |
2. |
Р. А. Бабунц, Ю. А. Успенская, А. П. Бундакова, Г. В. Мамин, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Идентификация оптически активных квартетных спиновых центров на основе вакансии кремния в SiC, перспективных для квантовых технологий”, Письма в ЖЭТФ, 118:9 (2023), 639–648 ; R. A. Babunts, Yu. A. Uspenskaya, A. P. Bundakova, G. V. Mamin, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Identification of optically active quartet spin centers based on a Si vacancy in SiC promising for quantum technologies”, JETP Letters, 118:9 (2023), 629–636 |
3
|
|
2022 |
3. |
Р. А. Бабунц, Ю. А. Успенская, А. П. Бундакова, Г. В. Мамин, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Релаксационные процессы и когерентные спиновые манипуляции для триплетных Si-C дивакансий в карбиде кремния, десятикратно обогащенном изотопом $^{13}$C”, Письма в ЖЭТФ, 116:11 (2022), 763–769 ; R. A. Babunts, Yu. A. Uspenskaya, A. P. Bundakova, G. V. Mamin, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, “Relaxation processes and coherent spin manipulations for triplet Si-C divacancies in silicon carbide enriched tenfold in the $^{13}$C isotope”, JETP Letters, 116:11 (2022), 785–790 |
2
|
4. |
Р. А. Бабунц, Ю. А. Успенская, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, Г. В. Мамин, А. Н. Анисимов, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом $^{13}$C”, Письма в ЖЭТФ, 116:7 (2022), 481–489 ; R. A. Babunts, Yu. A. Uspenskaya, A. S. Gurin, A. P. Bundakova, G. V. Mamin, A. N. Anisimov, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Manifestations of electron-nuclear interactions in the high-frequency ENDOR/ODMR spectra for triplet Si-C divacancies in $^{13}$C-enriched SiC”, JETP Letters, 116:7 (2022), 485–492 |
2
|
|
2020 |
5. |
Г. Р. Асатрян, Е. В. Единач, Ю. А. Успенская, Р. А. Бабунц, А. Г. Бадалян, Н. Г. Романов, А. Г. Петросян, П. Г. Баранов, “Влияние антисайт-дефектов в иттрий-алюминиевом гранате на парамагнитные центры Ce$^{3+}$ и Tb$^{3+}$”, Физика твердого тела, 62:11 (2020), 1875–1881 ; G. R. Asatryan, E. V. Edinach, Yu. A. Uspenskaya, R. A. Babunts, A. G. Badalyan, N. G. Romanov, A. G. Petrosyan, P. G. Baranov, “Influence of antisite defects in yttrium–aluminum garnet on paramagnetic centers of Ce$^{3+}$ and Tb$^{3+}$”, Phys. Solid State, 62:11 (2020), 2110–2115 |
3
|
6. |
Р. А. Бабунц, А. С. Гурин, Ю. А. Успенская, Г. Р. Асатрян, Д. О. Толмачев, Н. Г. Романов, А. Г. Бадалян, П. Г. Баранов, “Особенности высокочастотного спектрометра электронного парамагнитного резонанса с модуляцией частоты”, Письма в ЖТФ, 46:9 (2020), 47–50 ; R. A. Babunts, A. S. Gurin, Yu. A. Uspenskaya, G. R. Asatryan, D. O. Tolmachev, N. G. Romanov, A. G. Badalyan, P. G. Baranov, “Specific features of a high-frequency electron paramagnetic resonance spectrometer with frequency modulation”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 454–457 |
|
2019 |
7. |
Е. В. Единач, Ю. А. Успенская, А. С. Гурин, Р. А. Бабунц, Г. Р. Асатрян, Н. Г. Романов, А. Г. Бадалян, П. Г. Баранов, “Применение высокочастотного ЭПР/ЭСЭ для идентификации примесного состава и электронной структуры керамик на основе гранатов”, Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1864–1872 ; E. V. Edinach, Yu. A. Uspenskaya, A. S. Gurin, R. A. Babunts, G. R. Asatryan, N. G. Romanov, A. G. Badalyan, P. G. Baranov, “Application of high-frequency electron paramagnetic resonance/electron spin echo for the identification of the impurity composition and electronic structure of ceramics based garnets”, Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1820–1828 |
4
|
|
2018 |
8. |
И. В. Ильин, Ю. А. Успенская, Д. Д. Крамущенко, М. В. Музафарова, В. А. Солтамов, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Акцепторы III группы с мелкими и глубокими уровнями в карбиде кремния: исследования методами ЭПР и ДЭЯР”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 641–659 ; I. V. Il'in, Yu. A. Uspenskaya, D. D. Kramushchenko, M. V. Muzafarova, V. A. Soltamov, E. N. Mokhov, P. G. Baranov, “Group III acceptors with shallow and deep levels in silicon carbide: ESR and ENDOR studies”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 644–662 |
3
|
|
2016 |
9. |
В. А. Важенин, А. П. Потапов, Г. Р. Асатрян, Ю. А. Успенская, А. Г. Петросян, А. В. Фокин, “Высокоспиновые центры европия и гадолиния в иттрий-алюминиевом гранате”, Физика твердого тела, 58:8 (2016), 1573–1579 ; V. A. Vazhenin, A. P. Potapov, G. R. Asatryan, Yu. A. Uspenskaya, A. G. Petrosyan, A. V. Fokin, “High-spin europium and gadolinium centers in yttrium–aluminum garnet”, Phys. Solid State, 58:8 (2016), 1627–1633 |
14
|
|