|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Механические свойства композитного покрытия SiC на графите, полученного методом замещения атомов”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 7–10   |
|
2020 |
| 2. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, Ш. Ш. Шарофидинов, “Рост объемных эпитаксиальных пленок AlN полуполярной ориентации на подложках Si (001) и гибридных подложках SiC/Si (001)”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 22–25 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, Sh. Sh. Sharofidinov, “Epitaxial growth of bulk semipolar aln films on Si(001) and hybrid SiC/Si(001) substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 539–542 |
5
|
|
2019 |
| 3. |
А. В. Редьков, “Рост ограненных пор в кристалле по механизму Бартона–Кабреры–Франка”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2385–2389 ; A. V. Redkov, “Growth of a faceted pore in a crystal via Burton–Cabrera–Frank mechanism”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2392–2396 |
3
|
| 4. |
А. В. Редьков, А. С. Гращенко, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, К. П. Котляр, А. И. Лихачев, А. В. Нащекин, И. П. Сошников, “Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов”, Физика твердого тела, 61:3 (2019), 433–440 ; A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, K. P. Kotlyar, A. I. Lihachev, A. V. Nashchekin, I. P. Soshnikov, “Studying evolution of the ensemble of micropores in a SiC/Si structure during its growth by the method of atom substitution”, Phys. Solid State, 61:3 (2019), 299–306 |
15
|
| 5. |
Ш. Ш. Шарофидинов, С. А. Кукушкин, А. В. Редьков, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, “Рост полупроводниковых III–V гетероструктур на подложках SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 24–27 ; Sh. Sh. Sharofidinov, S. A. Kukushkin, A. V. Redkov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, “Growing III–V semiconductor heterostructures on SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 711–713 |
16
|
|
2018 |
| 6. |
Ю. Э. Китаев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры”, Физика твердого тела, 60:10 (2018), 2022–2027 ; Yu. È. Kitaev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, “A new trigonal (rhombohedral) sic phase: ab initio calculations, a symmetry analysis and the Raman spectra”, Phys. Solid State, 60:10 (2018), 2066–2071 |
4
|
|
2017 |
| 7. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, А. В. Редьков, “Отделение эпитаксиальных гетероструктур III–N/SiC от подложки Si и их перенос на подложки других типов”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 414–420 ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. V. Redkov, “Separation of III–N/SiC epitaxial heterostructure from a Si substrate and their transfer to other substrate types”, Semiconductors, 51:3 (2017), 396–401 |
13
|
|
2016 |
| 8. |
А. В. Редьков, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Моделирование процесса индентирования наномасштабных пленок на подложках методом молекулярной динамики”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016), 64–72 ; A. V. Redkov, A. V. Osipov, S. A. Kukushkin, “Molecular dynamics simulation of the indentation of nanoscale films on a substrate”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 639–643 |
5
|
|
Обратная связь: