|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Г. Н. Камаев, В. А. Володин, Г. К. Кривякин, “Вертикальное упорядочение аморфных нанокластеров Ge в многослойных гетероструктурах $a$-Ge/$a$-Si:H”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021), 13–16   ; G. N. Kamaev, V. A. Volodin, G. K. Krivyakin, “Vertical ordering of amorphous Ge nanoclusters in multilayer $a$-Ge/$a$-Si:H heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 47:8 (2021), 609–612 |
|
2020 |
| 2. |
М. П. Гамбарян, Г. К. Кривякин, С. Г. Черкова, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, В. А. Володин, “Проявление квантоворазмерных эффектов в нанокристаллах и аморфных нанокластерах германия в плeнках GeSi$_x$O$_y$”, Физика твердого тела, 62:3 (2020), 434–441 ; M. P. Gambaryan, G. K. Krivyakin, S. G. Cherkova, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, V. A. Volodin, “Quantum size effects in germanium nanocrystals and amorphous nanoclusters in GeSi$_x$O$_y$ films”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 492–498 |
16
|
| 3. |
Г. К. Кривякин, В. А. Володин, Г. Н. Камаев, А. А. Попов, “О влиянии гетерограниц и толщины на кинетику кристаллизации пленок аморфного германия”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 643–647 ; G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, G. N. Kamaev, A. A. Popov, “Effect of interfaces and thickness on the crystallization kinetics of amorphous germanium films”, Semiconductors, 54:7 (2020), 754–758 |
4
|
| 4. |
А. В. Колчин, Д. В. Шулейко, А. В. Павликов, С. В. Заботнов, Л. А. Головань, Д. Е. Преснов, В. А. Володин, Г. К. Кривякин, А. А. Попов, П. К. Кашкаров, “Фемтосекундный лазерный отжиг многослойных тонкопленочных структур на основе аморфных германия и кремния”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 43–46 ; A. V. Kolchin, D. V. Shuleiko, A. V. Pavlikov, S. V. Zabotnov, L. A. Golovan, D. E. Presnov, V. A. Volodin, G. K. Krivyakin, A. A. Popov, P. K. Kashkarov, “Femtosecond laser annealing of multilayer thin-film structures based on amorphous germanium and silicon”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 560–563 |
8
|
|
2019 |
| 5. |
В. А. Володин, Г. К. Кривякин, Г. Д. Ивлев, С. Л. Прокопьев, С. В. Гусакова, А. А. Попов, “Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур $a$-Ge/$a$-Si под действием наносекундного лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 423–429 ; V. A. Volodin, G. K. Krivyakin, G. D. Ivlev, S. L. Prokopyev, S. V. Gusakova, A. A. Popov, “Crystallization of amorphous germanium films and multilayer $a$-Ge/$a$-Si structures upon exposure to nanosecond laser radiation”, Semiconductors, 53:3 (2019), 400–405 |
24
|
|
2018 |
| 6. |
В. А. Володин, Zhang Rui, Г. К. Кривякин, А. Х. Антоненко, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, “Формирование светоизлучающих в ИК-диапазоне нанокристаллов германия в плeнках Ge:SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1056–1065 ; V. A. Volodin, Zhang Rui, G. K. Krivyakin, A. Kh. Antonenko, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, “On the formation of IR-light-emitting Ge nanocrystals in Ge:SiO$_{2}$ films”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1178–1187 |
4
|
| 7. |
Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Г. К. Кривякин, Е. Е. Родякина, П. А. Кучинская, Б. И. Фомин, А. Н. Яблонский, М. В. Степихова, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1028–1033 ; Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, G. K. Krivyakin, E. E. Rodyakina, P. A. Kuchinskaya, B. I. Fomin, A. N. Yablonskii, M. V. Stepikhova, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Study of the structural and emission properties of Ge(Si) quantum dots ordered on the Si(001) surface”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1150–1155 |
7
|
| 8. |
И. Е. Тысченко, Г. К. Кривякин, В. А. Володин, “Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiO$_{x}$N$_{y}$ при отжиге под высоким давлением”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 280–284 ; I. E. Tyschenko, G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, “Ion-beam synthesis of the crystalline Ge phase in SiO$_{x}$N$_{y}$ films upon annealing under high pressure”, Semiconductors, 52:2 (2018), 268–272 |
|
2017 |
| 9. |
Г. К. Кривякин, В. А. Володин, А. А. Шкляев, V. Mortet, J. More-Chevalier, P. Ashcheulov, Z. Remes, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Формирование и исследование $p$–$i$–$n$-структур на основе двухфазного гидрогенизированного кремния со слоем германия в $i$-области”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1420–1425 ; G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, A. A. Shklyaev, V. Mortet, J. More-Chevalier, P. Ashcheulov, Z. Remes, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Formation and study of $p$–$i$–$n$ structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the $i$-type region”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1370–1376 |
6
|
|
2016 |
| 10. |
Г. К. Кривякин, В. А. Володин, С. А. Кочубей, Г. Н. Камаев, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Оптические свойства $p$–$i$–$n$-структур на основе аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллами кремния, сформированными с применением наносекундных лазерных отжигов”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 952–957 ; G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, S. A. Kochubei, G. N. Kamaev, A. Purkrt, Z. Remes, R. Fajgar, T. H. Stuchliková, J. Stuchlik, “Optical properties of $p$–$i$–$n$ structures based on amorphous hydrogenated silicon with silicon nanocrystals formed via nanosecond laser annealing”, Semiconductors, 50:7 (2016), 935–940 |
10
|
|
Обратная связь: