|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Е. А. Баранов, В. А. Непомнящих, В. О. Константинов, В. Г. Щукин, И. Е. Меркулова, А. О. Замчий, Н. А. Лунев, В. А. Володин, А. А. Шаповалова, “Влияние плотности тока на структуру тонких пленок аморфного субоксида кремния при электронно-пучковом отжиге”, Прикл. мех. техн. физ., 64:5 (2023), 52–58   ; E. A. Baranov, V. A. Nepomnyashchikh, V. O. Konstantinov, V. G. Shchukin, I. E. Merkulova, A. O. Zamchiy, N. A. Lunev, V. A. Volodin, A. A. Shapovalova, “Influence of current density on the structure of thin films of amorphous silicon suboxide during electron beam annealing”, J. Appl. Mech. Tech. Phys., 64:5 (2024), 778–783 |
| 2. |
В. Г. Щукин, В. О. Константинов, “Измерение температуры расплава кремния при электронно-пучковом рафинировании”, Прикл. мех. техн. физ., 64:5 (2023), 39–44 ; V. G. Shchukin, V. O. Konstantinov, “Measurement of silicon melt temperature during electron beam refining”, J. Appl. Mech. Tech. Phys., 64:5 (2024), 767–771 |
|
2021 |
| 3. |
Е. А. Баранов, В. О. Константинов, В. Г. Щукин, А. О. Замчий, И. Е. Меркулова, Н. А. Лунёв, В. А. Володин, “Электронно-пучковая кристаллизация тонких пленок аморфного субоксида кремния”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 26–28 ; E. A. Baranov, V. O. Konstantinov, V. G. Shchukin, A. O. Zamchiy, I. E. Merkulova, N. A. Lunev, V. A. Volodin, “Electron-beam crystallization of thin films of amorphous silicon suboxide”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 263–265 |
2
|
|
2019 |
| 4. |
В. Г. Щукин, В. О. Константинов, Р. Г. Шарафутдинов, “Осаждение аморфных и микрокристаллических пленок кремния газоструйным плазмохимическим методом”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1721–1725 ; V. G. Shchukin, V. O. Konstantinov, R. G. Sharafutdinov, “Deposition of amorphous and microcrystalline silicon films by gas-jet plasma-chemical method”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1712–1716 |
| 5. |
В. Г. Щукин, Р. Г. Шарафутдинов, В. О. Константинов, “Осаждение пленок кремния, легированных бором и фосфором газоструйным плазмохимическим методом”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 132–136 ; V. G. Shchukin, R. G. Sharafutdinov, V. O. Konstantinov, “Deposition of silicon films doped with boron and phosphorus by the gas-jet plasma-chemical method”, Semiconductors, 53:1 (2019), 127–131 |
2
|
|
2018 |
| 6. |
В. Г. Щукин, В. О. Константинов, В. С. Морозов, “Высокоэффективный источник электронов с полым катодом для технологий осаждения тонких пленок и обработки поверхностей при форвакуумных давлениях”, ЖТФ, 88:6 (2018), 914–919 ; V. G. Shchukin, V. O. Konstantinov, V. S. Morozov, “High-efficiency electron source with a hollow cathode in technologies of thin film deposition and surface treatment under forevacuum pressures”, Tech. Phys., 63:6 (2018), 888–893 |
13
|
| 7. |
В. О. Константинов, В. Г. Щукин, Р. Г. Шарафутдинов, “Измерение температуры и концентрации вторичных электронов в электронно-пучковой плазме аргона”, Прикл. мех. техн. физ., 59:5 (2018), 115–122 ; V. O. Konstantinov, V. G. Shchukin, R. G. Sharafutdinov, “Measuring the temperature and concentration secondary electrons in an argon electron-beam plasma”, J. Appl. Mech. Tech. Phys., 59:5 (2018), 867–873 |
| 8. |
Р. Г. Шарафутдинов, П. А. Сковородко, В. Г. Щукин, В. О. Константинов, “Осаждение пленок кремния с использованием газоструйного плазмохимического метода: эксперимент и газодинамическое моделирование”, Прикл. мех. техн. физ., 59:5 (2018), 22–30 ; R. G. Sharafutdinov, P. A. Skovorodko, V. G. Shchukin, V. O. Konstantinov, “Silicon film deposition using a gas-jet plasma-chemical method: experiment and gas-dynamic simulation”, J. Appl. Mech. Tech. Phys., 59:5 (2018), 786–793 |
3
|
|
Обратная связь: