Осаждение пленок кремния, легированных бором и фосфором газоструйным плазмохимическим методом

С использованием диборана и фосфина в качестве легирующих газов методом газоструйного плазмохимического осаждения с применением электронного пучка были получены легированные пленки кремния. Исследовано влияние концентрации легирующего газа, добавки фторсодержащего газа и фонового давления на проводимость и кристаллическую структуру кремниевых слоев. Получены легированные бором аморфные пленки ($\alpha$-Si:H) с проводимостью до 5.2 $\cdot$ 10$^{-3}$ (Ом $\cdot$ см)$^{-1}$, при легировании фосфором получены микрокристаллические пленки кремния ($mc$-Si:H), имеющие кристалличность до 70% и значения проводимости на уровне 1 (Ом $\cdot$ см)$^{-1}$.