|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Н. П. Степина, А. О. Баженов, А. В. Шумилин, Е. Ю. Жданов, Д. В. Ищенко, В. В. Кириенко, М. С. Аксенов, О. Е. Терещенко, “Нелинейный коэффициент Холла в пленках трехмерного топологического изолятора”, Письма в ЖЭТФ, 120:3 (2024), 208–213  |
|
2021 |
| 2. |
Д. В. Ищенко, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, А. Э. Климов, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Н. С. Пащин, А. С. Тарасов, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерcтякова, “Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe:In от концентрации In”, ЖТФ, 91:6 (2021), 1040–1044  ; D. V. Ishchenko, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, A. E. Klimov, A. B. Loginov, B. A. Loginov, N. S. Pschin, A. S. Tarasov, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova, “Topology of PbSnTe:In layers versus indium concentration”, Tech. Phys., 66:7 (2021), 878–882  |
|
2020 |
| 3. |
А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Е. В. Матюшенко, И. Г. Неизвестный, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, В. С. Эпов, “Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1122–1128 ; A. E. Klimov, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, D. V. Ishchenko, E. V. Matyushenko, I. G. Neizvestnyi, G. Yu. Sidorov, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, O. E. Tereshchenko, V. S. Epov, “Features of MIS structures based on insulating PbSnTe:In films with the composition in the vicinity of the band inversion related to their ferroelectric properties”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1325–1331 |
1
|
| 4. |
А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, Д. В. Ищенко, А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерстякова, “Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 796–800 ; A. N. Akimov, I. O. Akhundov, D. V. Ishchenko, A. E. Klimov, I. G. Neizvestnyi, N. S. Pschin, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, O. E. Tereshchenko, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova, “Sign-alternating photoconductivity in PbSnTe : In films in the space-charge-limited current regime”, Semiconductors, 54:8 (2020), 951–955 |
2
|
|
2019 |
| 5. |
А. С. Тарасов, Д. В. Ищенко, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, А. Э. Климов, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, Е. В. Федосенко, В. Н. Шерстякова, О. Е. Терещенко, “Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe$\langle$In$\rangle$ с составом вблизи инверсии зон”, ЖТФ, 89:11 (2019), 1795–1799 ; A. S. Tarasov, D. V. Ishchenko, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, A. E. Klimov, N. S. Pschin, S. P. Suprun, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova, O. E. Tereshchenko, “Modification of the surface properties of PbSnTe$\langle$In$\rangle$ epitaxial layers with composition near band inversion”, Tech. Phys., 64:11 (2019), 1704–1708 |
6
|
| 6. |
А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, В. С. Эпов, О. Е. Терещенко, “Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1207–1211 ; A. E. Klimov, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, D. V. Ishchenko, G. Yu. Sidorov, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, V. S. Epov, O. E. Tereshchenko, “Surface сonductivity dynamics in PbSnTe : In films in the vicinity of a band inversion”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1182–1186 |
2
|
|
2018 |
| 7. |
Д. В. Ищенко, И. Г. Неизвестный, “Излучательная рекомбинация, захват носителей заряда на ловушки и релаксация фототока в PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 694–698 ; D. V. Ishchenko, I. G. Neizvestnyi, “Radiative recombination, carrier capture at traps, and photocurrent relaxation in PbSnTe : In with a composition close to band inversion”, Semiconductors, 52:7 (2018), 836–839 |
|
2016 |
| 8. |
Д. В. Ищенко, А. Э. Климов, В. Н. Шумский, В. С. Эпов, “Твердый раствор PbSnTe : In – уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1662–1668 ; D. V. Ishchenko, A. E. Klimov, V. N. Shumskii, V. S. Epov, “PbSnTe:In compound: Electron capture levels, galvanomagnetic properties, and THz sensitivity”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1635–1640 |
|
Обратная связь: