|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, В. В. Федоров, И. В. Штром, А. Д. Большаков, “Точная модель самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов Ga(As, P)”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 969–972   ; N. V. Sibirev, Yu. S. Berdnikov, V. V. Fedorov, I. V. Shtrom, A. D. Bolshakov, “Parameter-free model of self-catalyzed growth of Ga(As, P) nanowires”, Semiconductors, 56:1 (2022), 14–17 |
2
|
|
2020 |
| 2. |
Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, В. Н. Сибирев, “Изменение кристаллической фазы в гетероструктурных Ga(As, P) нитевидных нанокристаллах под воздействием упругих напряжений”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1117–1121 ; N. V. Sibirev, Yu. S. Berdnikov, V. N. Sibirev, “Crystalline-phase switching in heterostructured Ga(AsP) nanowires under the impact of elastic strains”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1320–1324 |
|
2019 |
| 3. |
N. V. Sibirev, Yu. S. Berdnikov, V. N. Sibirev, “Impact of elastic stress on crystal phase of GaP nanowires”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2316 ; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2313–2315 |
2
|
| 4. |
А. А. Корякин, С. А. Кукушкин, Н. В. Сибирев, “Механизм роста пар–кристалл–кристалл Au-каталитических GaAs-нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 370–380 ; A. A. Koryakin, S. A. Kukushkin, N. V. Sibirev, “On the mechanism of the vapor–solid–solid growth of Au-catalyzed GaAs nanowires”, Semiconductors, 53:3 (2019), 350–360 |
12
|
| 5. |
Н. В. Сибирев, Ю. С. Бердников, В. Н. Сибирев, “Роль упругих напряжений при формировании нитридных нитевидных нанокристаллов с кубической кристаллической структурой”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 39–42 ; N. V. Sibirev, Yu. S. Berdnikov, V. N. Sibirev, “The role of elastic stresses in the formation of nitride nanowires with cubic crystalline structure”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1050–1053 |
1
|
| 6. |
Н. Р. Григорьева, И. В. Штром, Р. В. Григорьев, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, Н. В. Сибирев, Г. Э. Цырлин, “Влияние центра EL2 на фотоотклик ансамбля радиальных нитевидных нанокристаллов GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 37–40 ; N. R. Grigor'eva, I. V. Shtrom, R. V. Grigor'ev, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, N. V. Sibirev, G. E. Cirlin, “The influence of EL2 centers on the photoelectric response of an array of radial GaAs/AlGaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 835–838 |
| 7. |
Н. В. Сибирев, H. Huang, Е. В. Убыйвовк, R. Lv, D. Zhao, Q. Guang, Ю. С. Бердников, X. Yan, А. А. Корякин, И. В. Штром, “Рост нанотрубок и нитевидных нанокристаллов GaN с катализатором Au–Ni”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 38–41 ; N. V. Sibirev, H. Huang, E. V. Ubyivovk, R. Lv, D. Zhao, Q. Guang, Yu. S. Berdnikov, X. Yan, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, “Growth of GaN nanotubes and nanowires on Au–Ni catalysts”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 159–162 |
1
|
|
2018 |
| 8. |
В. В. Данилов, А. С. Кулагина, Н. В. Сибирев, А. И. Хребтов, В. Б. Шилов, “Фотодинамика нелинейных эффектов при воздействии пикосекундного лазерного излучения на коллоидные растворы квантовых точек CdSe/ZnS”, Оптика и спектроскопия, 125:5 (2018), 658–663 ; V. V. Danilov, A. S. Kulagina, N. V. Sibirev, A. I. Khrebtov, V. B. Shilov, “Photodynamics of nonlinear effects of picosecond laser action on CdSe/ZnS QDs colloidal solutions”, Optics and Spectroscopy, 125:5 (2018), 716–721 |
1
|
| 9. |
Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1464–1468 ; N. V. Sibirev, K. P. Kotlyar, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, E. V. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Solar cell based on core/shell nanowires”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1568–1572 |
4
|
| 10. |
И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 5–9 ; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si(111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 |
|
2017 |
| 11. |
И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1587 ; I. V. Shtrom, N. V. Sibirev, E. V. Ubyivovk, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “GaP/Si (111) nanowire crystals synthesized by molecular-beam epitaxy with switching between the hexagonal and cubic phases”, Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5 |
|
2016 |
| 12. |
Н. В. Сибирев, А. А. Корякин, В. Г. Дубровский, “Новый метод формирования гетеропереходов в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1592–1594 ; N. V. Sibirev, A. A. Koryakin, V. G. Dubrovskii, “On a new method of heterojunction formation in III–V nanowires”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1566–1568 |
|
Обратная связь: