|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Международная конференция ''Механизмы и нелинейные проблемы нуклеации, роста кристаллов и тонких пленок'' , посвященная памяти выдающегося физика-теоретика профессора В. В. Слезова (Сборник трудов) Санкт-Петербург, 1-5 июля 2019 г.
Полупроводники
Impact of elastic stress on crystal phase of GaP nanowires
N. V. Sibirevab, Yu. S. Berdnikova, V. N. Sibirevc a ITMO University, St. Petersburg, Russia
b Saint-Petersburg State University, Saint Petersburg, Russia
c Saint-Petersburg Mining University, Saint Petersburg, Russia
Аннотация:
In most cases, III–V compounds form a crystal structure, which is stable under certain experimental conditions. Meantime crystal phase of III–V nanowires may differ from the stable phase of bulk structures. In this work, we show that the elastic stress could be the sole factor responsible for nanowire growth in the metastable phase. Depending on the experimental conditions of GaP nanowire growth, the elastic stress contribution to nucleation barrier can be greater than the difference in the energy of the formation of the cubic and hexagonal phase, and thus, it causes the growth in metastable wurtzite crystal phase.
Ключевые слова:
nanowire, phosphide, polytypes, elastic strain.
Поступила в редакцию: 16.07.2019 Исправленный вариант: 16.07.2019 Принята в печать: 25.07.2019
Образец цитирования:
N. V. Sibirev, Yu. S. Berdnikov, V. N. Sibirev, “Impact of elastic stress on crystal phase of GaP nanowires”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2316; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2313–2315
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8556 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i12/p2316
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | PDF полного текста: | 15 |
|