|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
И. П. Сошников, К. П. Котляр, Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, В. В. Лендяшова, А. В. Вершинин, В. В. Лысак, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, Г. Э. Цырлин, “Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 785–788   ; I. P. Sotnikov, K. P. Kotlyar, R. R. Reznik, V. O. Gridchin, V. V. Lendyashova, A. V. Vershinin, V. V. Lysak, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, G. E. Cirlin, “Specific features of structural stresses in InGaN/GaN nanowires”, Semiconductors, 55:10 (2021), 795–798 |
3
|
| 2. |
В. О. Гридчин, Р. Р. Резник, К. П. Котляр, А. С. Драгунова, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Серов, С. А. Кукушкин, Г. Э. Цырлин, “Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021), 32–35 |
2
|
|
2020 |
| 3. |
Р. Р. Резник, В. О. Гридчин, К. П. Котляр, Н. В. Крыжановская, С. В. Морозов, Г. Э. Цырлин, “Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 884–887 ; R. R. Reznik, V. O. Gridchin, K. P. Kotlyar, N. V. Kryzhanovskaya, S. V. Morozov, G. E. Cirlin, “Synthesis of morphologically developed ingan nanostructures on silicon: influence of the substrate temperature on the morphological and optical properties”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1075–1077 |
4
|
| 4. |
В. О. Гридчин, К. П. Котляр, Р. Р. Резник, Л. Н. Дворецкая, А. В. Парфеньева, И. С. Мухин, Г. Э. Цырлин, “Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO$_{x}$/Si-подложках”, Письма в ЖТФ, 46:21 (2020), 32–35 ; V. O. Gridchin, K. P. Kotlyar, R. R. Reznik, L. N. Dvoretskaya, A. V. Parfeneva, I. S. Mukhin, G. E. Cirlin, “Selective-area growth of GaN nanowires on patterned SiO$_{x}$/Si substrates by molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:11 (2020), 1080–1083 |
7
|
|
Обратная связь: