|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
П. А. Иванов, Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, “Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC диоды с прямой фаской”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 349–353   ; P. A. Ivanov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, “High-voltage 4$H$-SiC based avalanche diodes with a negative beve”, Semiconductors, 55:4 (2021), 405–409 |
| 2. |
П. А. Иванов, Н. М. Лебедева, “TCAD-моделирование высоковольтных 4$H$-SiC диодов с охранной полуизолирующей областью”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 201–206 ; P. A. Ivanov, N. M. Lebedeva, “TCAD simulation of high-voltage 4$H$-SiC diodes with an edge semi-insulating region”, Semiconductors, 55:2 (2021), 256–261 |
1
|
| 3. |
П. А. Иванов, Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, М. Ф. Кудояров, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, Ю. М. Задиранов, “Высоковольтные 4$H$-SiC диоды Шоттки с полевой обкладкой”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 188–194 ; P. A. Ivanov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, M. F. Kudoyarov, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, Yu. M. Zadiranov, “High-voltage 4$H$-SiC Schottky diodes with field-plate edge termination”, Semiconductors, 55:2 (2021), 243–249 |
2
|
| 4. |
П. А. Иванов, М. Ф. Кудояров, Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, “Высоковольтные лавинные 4$H$-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 48–50 ; P. A. Ivanov, M. F. Kudoyarov, N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, T. P. Samsonova, “High-voltage avalanche 4$H$-SiC diodes with a protective semi-insulating area”, Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 275–277 |
1
|
|
2020 |
| 5. |
П. А. Иванов, А. С. Потапов, Н. М. Лебедева, И. В. Грехов, “Лавинный пробой в 4$H$-SiC диодах Шоттки: вопросы надежности”, ЖТФ, 90:12 (2020), 2133–2138 ; P. A. Ivanov, A. S. Potapov, N. M. Lebedeva, I. V. Grekhov, “Avalanche breakdown in 4$H$-SiC Schottky diodes: reliability aspects”, Tech. Phys., 65:12 (2020), 2041–2046 |
2
|
| 6. |
Н. М. Лебедева, Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, С. И. Трошков, П. А. Иванов, “Формирование SiC-мезаструктур с пологими боковыми стенками cухим селективным травлением через маску из фоторезиста”, ЖТФ, 90:6 (2020), 997–1000 ; N. M. Lebedeva, T. P. Samsonova, N. D. Il'inskaya, S. I. Troshkov, P. A. Ivanov, “Formation of SiC mesastructures with gently sloping sidewalls by dry selective etching through a photoresist mask”, Tech. Phys., 65:6 (2020), 957–960 |
3
|
| 7. |
Н. М. Лебедева, Н. Д. Ильинская, П. А. Иванов, “О защите высоковольтных мезаструктурных 4$H$-SiC-приборов от поверхностного пробоя: прямая фаска”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 207–211 ; N. M. Lebedeva, N. D. Il'inskaya, P. A. Ivanov, “Edge-termination technique for high-voltage mesa-structure 4$H$-SiC devices: negative beveling”, Semiconductors, 54:2 (2020), 258–262 |
3
|
| 8. |
Н. Д. Ильинская, Н. М. Лебедева, Ю. М. Задиранов, П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, О. И. Коньков, А. С. Потапов, “Микропрофилирование 4$H$-SiC сухим травлением в технологии формирования структуры полевого транзистора с затвором Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 97–102 ; N. D. Il'inskaya, N. M. Lebedeva, Yu. M. Zadiranov, P. A. Ivanov, T. P. Samsonova, O. I. Kon'kov, A. S. Potapov, “Micro-profiling of 4$H$-SiC by dry etching to form a Schottky barrier diode”, Semiconductors, 54:1 (2020), 144–149 |
3
|
|
Обратная связь: