|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Е. В. Волкова, А. Б. Логинов, Б. А. Логинов, Е. А. Тарасова, А. С. Пузанов, С. А. Королев, Е. С. Семёновых, С. В. Хазанова, С. В. Оболенский, “Экспериментальные исследования модификации характеристик GaAs-структур с контактами Шоттки после воздействия быстрых нейтронов”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 846–849   ; E. V. Volkova, A. B. Loginov, B. A. Loginov, E. A. Tarasova, A. S. Puzanov, S. A. Korolev, E. S. Semyonovykh, S. V. Khazanova, S. V. Obolensky, “Experimental studies of modification of the characteristics of GaAs structures with Schottky contacts after exposure to fast neutrons”, Semiconductors, 55:12 (2021), 903–906 |
1
|
| 2. |
А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, Н. М. Овечкин, О. А. Иванов, Д. Б. Радищев, А. М. Горбачев, М. А. Лобаев, А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, С. А. Краев, С. А. Королев, “Исследование нелегированных нанокристаллических алмазных пленок, выращенных из газовой фазы в плазме СВЧ разряда”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 49–58 ; A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, N. M. Ovechkin, O. A. Ivanov, D. B. Radishev, A. M. Gorbachev, M. A. Lobaev, A. Ya. Vul', A. T. Dideikin, S. A. Kraev, S. A. Korolev, “Study of undoped nanocrystalline diamond films grown by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition”, Semiconductors, 55:1 (2021), 66–75 |
3
|
|
2020 |
| 3. |
А. Н. Плиговка, П. А. Юнин, А. В. Гога, С. А. Королев, Г. Г. Горох, Е. В. Скороходов, “Морфология и состав дефектированных массивов ниобиевых оксидных неоднородностей, сформированных анодированием двуслойной системы Al/Nb”, ЖТФ, 90:11 (2020), 1854–1859 ; A. N. Pligovka, P. A. Yunin, A. V. Hoha, S. A. Korolev, G. G. Gorokh, E. V. Skorokhodov, “Morphology and structure of defected niobium oxide nonuniform arrays formed by anodizing bilayer Al/Nb systems”, Tech. Phys., 65:11 (2020), 1771–1776 |
7
|
| 4. |
А. И. Охапкин, П. А. Юнин, Е. А. Архипова, С. А. Краев, С. А. Королев, М. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, “Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 865–867 ; A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, S. A. Korolev, M. N. Drozdov, V. I. Shashkin, “Formation of ohmic contacts to a diamond-like carbon layer deposited on a dielectric diamond substrate”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1056–1058 |
2
|
| 5. |
П. А. Юнин, А. И. Охапкин, М. Н. Дроздов, С. А. Королев, Е. А. Архипова, С. А. Краев, Ю. Н. Дроздов, В. И. Шашкин, Д. Б. Радищев, “Модификация соотношения $sp^2/sp^3$-гибридного углерода в PECVD пленках DLC”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 855–858 ; P. A. Yunin, A. I. Okhapkin, M. N. Drozdov, S. A. Korolev, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, Yu. N. Drozdov, V. I. Shashkin, D. B. Radishev, “Modification of the ratio between $sp^2/sp^3$-hybridized carbon components in PECVD diamond-like films”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1047–1050 |
|
2018 |
| 6. |
П. А. Юнин, П. В. Волков, Ю. Н. Дроздов, А. В. Колядин, С. А. Королев, Д. Б. Радищев, Е. А. Суровегина, В. И. Шашкин, “Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1321–1325 ; P. A. Yunin, P. V. Volkov, Yu. N. Drozdov, A. V. Koliadin, S. A. Korolev, D. B. Radishev, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin, “Study of the structural and morphological properties of HPHT diamond substrates”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1432–1436 |
6
|
|
Обратная связь: