|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. П. Лесников, М. В. Ведь, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, Р. Н. Крюков, “Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости”, Физика твердого тела, 63:7 (2021), 866–873   ; V. P. Lesnikov, M. V. Ved, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, I. L. Kalentyeva, A. V. Kudrin, R. N. Kriukov, “Diode heterostructures with narrow-gap ferromagnetic A$^{3}$FeB$^{5}$ semiconductors of various conduction type”, Phys. Solid State, 63:7 (2021), 1028–1035 |
2
|
| 2. |
А. А. Сушков, Д. А. Павлов, А. И. Андрианов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Р. Н. Крюков, Н. В. Байдусь, Д. В. Юрасов, А. В. Рыков, “Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 978–988 |
| 3. |
Ю. А. Данилов, А. В. Алафердов, О. В. Вихрова, Д. А. Здоровейщев, В. А. Ковальский, Р. Н. Крюков, Ю. М. Кузнецов, В. П. Лесников, А. В. Нежданов, М. Н. Дроздов, “Легирование углеродных нанослоев, выращенных импульсным лазерным методом”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 637–643 ; Yu. A. Danilov, A. V. Alaferdov, O. V. Vikhrova, D. A. Zdoroveishchev, V. A. Koval'skii, R. N. Kriukov, Yu. M. Kuznetsov, V. P. Lesnikov, A. V. Nezhdanov, M. N. Drozdov, “Doping of carbon layers grown by the pulsed laser technique”, Semiconductors, 55:8 (2021), 660–666 |
| 4. |
А. В. Рыков, Р. Н. Крюков, И. В. Самарцев, П. А. Юнин, В. Г. Шенгуров, А. В. Зайцев, Н. В. Байдусь, “Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 37–40 ; A. V. Rykov, R. N. Kriukov, I. V. Samartsev, P. A. Yunin, V. G. Shengurov, A. V. Zaitsev, N. V. Baidus, “Effect of the algaas seed layer composition on antiphase domains formation in (Al)GaAs structures grown by vapor-phase epitaxy on Ge/Si(100) substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 413–416 |
1
|
|
2020 |
| 5. |
А. А. Сушков, Д. А. Павлов, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Р. Н. Крюков, Е. А. Питиримова, “Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO$_{2}$/Si (100) методом “горячей проволоки””, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1129–1133 ; A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, R. N. Kriukov, E. A. Pitirimova, “Growth of a ge layer on a Si/SiO$_{2}$/Si (100) structure by the hot wire chemical vapor deposition”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1332–1335 |
2
|
| 6. |
Ю. А. Данилов, М. В. Ведь, О. В. Вихрова, Н. В. Дикарева, М. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков, В. А. Ковальский, Р. Н. Крюков, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, П. А. Юнин, А. М. Андреев, “Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 868–872 ; Yu. A. Danilov, M. V. Ved, O. V. Vikhrova, N. V. Dikareva, M. N. Drozdov, B. N. Zvonkov, V. A. Koval'skii, R. N. Kriukov, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, P. A. Yunin, A. M. Andreev, “Carbon films produced by the pulsed laser method and their influence on the properties of GaAs structures”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1059–1063 |
2
|
| 7. |
Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, М. Н. Дроздов, А. В. Здоровейщев, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, И. Н. Антонов, С. М. Планкина, М. П. Темирязева, “Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 801–806 ; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, M. N. Drozdov, A. V. Zdoroveyshchev, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, I. N. Antonov, S. M. Plankina, M. P. Temiryazeva, “Formation of carbon layers by the thermal decomposition of carbon tetrachloride in a reactor for MOCVD epitaxy”, Semiconductors, 54:8 (2020), 956–960 |
1
|
|
2019 |
| 8. |
А. А. Сушков, Д. А. Павлов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Н. В. Байдусь, А. В. Рыков, Р. Н. Крюков, “Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1271–1274 ; A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, N. V. Baidus, A. V. Rykov, R. N. Kriukov, “Studies of the cross section and photoluminescence of a GaAs layer grown on a Si/Al$_{2}$O$_{3}$ substrate”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1242–1245 |
1
|
| 9. |
С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, Д. А. Павлов, И. Ю. Пашенькин, А. А. Сушков, “Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1233–1236 ; S. M. Plankina, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, S. Yu. Zubkov, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, D. A. Pavlov, I. Yu. Pashen'kin, A. A. Sushkov, “On the combined application of raman spectroscopy and photoluminescence spectroscopy for the diagnostics of multilayer heterostructures”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1207–1210 |
|
2018 |
| 10. |
Ю. А. Данилов, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Р. Н. Крюков, И. Н. Антонов, Д. С. Толкачев, А. В. Алафердов, З. Э. Кунькова, М. П. Темирязева, А. Г. Темирязев, “Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А$^{3}$В$^{5}$, сильно легированных железом”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2137–2140 ; Yu. A. Danilov, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, O. V. Vikhrova, R. N. Kriukov, I. N. Antonov, D. S. Tolkachev, A. V. Alaferdov, Z. E. Kun'kova, M. P. Temiryazeva, A. G. Temiryazev, “The study of features of formation and properties of А$^{3}$В$^{5}$ semiconductors highly doped with iron”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2178–2181 |
5
|
| 11. |
С. Ю. Зубков, И. Н. Антонов, О. Н. Горшков, А. П. Касаткин, Р. Н. Крюков, Д. Е. Николичев, Д. А. Павлов, М. Е. Шенина, “Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 591–595 ; S. Yu. Zubkov, I. N. Antonov, O. N. Gorshkov, A. P. Kasatkin, R. N. Kriukov, D. E. Nikolichev, D. A. Pavlov, M. E. Shenina, “X-ray photoelectron spectroscopy of stabilized zirconia films with embedded Au nanoparticles formed under irradiation with gold ions”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 598–602 |
1
|
|
2016 |
| 12. |
М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, П. Б. Демина, Ю. В. Усов, Д. Е. Николичев, Р. Н. Крюков, С. Ю. Зубков, “Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1463–1468 ; M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, P. B. Demina, Yu. V. Usov, D. E. Nikolichev, R. N. Kriukov, S. Yu. Zubkov, “Fabrication of MnGa/GaAs contacts for optoelectronics and spintronics applications”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1443–1448 |
|
Обратная связь: