Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO$_{2}$/Si (100) методом “горячей проволоки”

Сформированы и исследованы слои Ge/Si на подложках Si/SiO$_{2}$/Si (100) при разных температурах роста. Слой Si выращен методом молекулярно-пучковой эпитаксии, а слой Ge получен методом “горячей проволоки”. Структурные исследования проведены с помощью высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и дифракции ускоренных электронов на отражение. Перспектива создания подобных структур сводится к наращиванию на них высокого качества светоизлучающих структур, совместимых с кремниевыми радиационно стойкими интегральными микросхемами. В работе показана возможность роста монокристаллического слоя Ge на Si/SiO$_{2}$/Si (100) через буферный слой Si методом “горячей проволоки”, а также продемонстрированы сложности, которые возникают в процессе роста Ge/Si слоев на Si/SiO$_{2}$/Si (100).