|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, С. А. Решанов, A. Schöner, “Cиловой МДП-транзистор на 4$H$-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 79–84   ; A. I. Mikhaylov, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, V. V. Luchinin, S. A. Reshanov, A. Schöner, “High-power 4$H$-SiC mosfet with an epitaxial buried channel”, Semiconductors, 54:1 (2020), 122–126 |
5
|
| 2. |
Д. Д. Авров, А. Н. Горляк, А. О. Лебедев, В. В. Лучинин, А. В. Марков, А. В. Осипов, М. Ф. Панов, С. А. Кукушкин, “Сравнительный эллипсометрический анализ политипов карбида кремния 4$H$, 15$R$, 6$H$, полученных модифицированным методом Лели в одном ростовом процессе”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 28–31 ; D. D. Avrov, A. N. Gorlyak, A. O. Lebedev, V. V. Luchinin, A. V. Markov, A. V. Osipov, M. F. Panov, S. A. Kukushkin, “Comparative ellipsometric analysis of silicon carbide polytypes 4$H$, 15$R$, and 6$H$ produced by a modified Lely method in the same growth process”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 968–971 |
4
|
| 3. |
А. В. Осипов, А. С. Гращенко, А. Н. Горляк, А. О. Лебедев, В. В. Лучинин, А. В. Марков, М. Ф. Панов, С. А. Кукушкин, “Исследование методом наноиндентирования твердости и модуля Юнга в тонких приповерхностных слоях карбида кремния со стороны Si- и C-граней”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020), 36–38 ; A. V. Osipov, A. S. Grashchenko, A. N. Gorlyak, A. O. Lebedev, V. V. Luchinin, A. V. Markov, M. F. Panov, S. A. Kukushkin, “Investigation of the hardness and Young's modulus in thin near-surface layers of silicon carbide from the Si- and C-faces by nanoindentation”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 763–766 |
8
|
|
2019 |
| 4. |
К. Г. Гареев, В. В. Лучинин, Е. Н. Севостьянов, И. О. Тестов, О. А. Тестов, “Частотная зависимость коэффициента поглощения электромагнитного излучения в магнитной жидкости”, ЖТФ, 89:6 (2019), 948–951 ; K. G. Gareev, V. V. Luchinin, E. N. Sevostyanov, I. O. Testov, O. A. Testov, “Frequency dependence of an electromagnetic absorption coefficient in magnetic fluid”, Tech. Phys., 64:6 (2019), 893–896 |
7
|
| 5. |
С. И. Голоудина, В. В. Лучинин, В. М. Пасюта, А. Н. Смирнов, Д. А. Кириленко, Е. Н. Севостьянов, Г. А. Коноплев, В. В. Андрюшкин, В. П. Склизкова, И. В. Гофман, В. М. Светличный, В. В. Кудрявцев, “Получение высокопроводящих и оптически прозрачных пленок со структурой мультиграфена путем карбонизации полиимидных пленок Ленгмюра–Блоджетт”, Письма в ЖТФ, 45:9 (2019), 50–54 ; S. I. Goloudina, V. V. Luchinin, V. M. Pasyuta, A. N. Smirnov, D. A. Kirilenko, E. N. Sevostyanov, G. A. Konoplev, V. V. Andryushkin, V. P. Sklizkova, I. V. Gofman, V. M. Svetlichnyi, V. V. Kudryavtsev, “Formation of highly conductive and optically transparent multilayer graphene films by carbonization of polyimide Langmuir–Blodgett films”, Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 471–474 |
1
|
|
2018 |
| 6. |
Е. Н. Муратова, В. А. Мошников, В. В. Лучинин, А. А. Бобков, И. А. Врублевский, К. В. Чернякова, Е. И. Теруков, “Теплопроводящие платы на основе алюминия с наноструктурированным слоем Al$_{2}$O$_{3}$ для изделий силовой электроники”, ЖТФ, 88:11 (2018), 1678–1680 ; E. N. Muratova, V. A. Moshnikov, V. V. Luchinin, A. A. Bobkov, I. A. Vrublevsky, K. V. Chernyakova, E. I. Terukov, “Thermal-conductive boards based on aluminum with an Al$_{2}$O$_{3}$ nanostructured layer for products of power electronics”, Tech. Phys., 63:11 (2018), 1626–1628 |
4
|
|
2017 |
| 7. |
В. В. Лучинин, М. Ф. Панов, А. А. Романов, “Планаризация поверхности композиции “нанопористый диоксид кремния-диоксид титана” методом атомно-молекулярной химической сборки”, ЖТФ, 87:5 (2017), 736–740 ; V. V. Luchinin, M. F. Panov, A. A. Romanov, “Planarization of a surface of nanoporous silica–titania composition by atomic-molecular chemical assembly”, Tech. Phys., 62:5 (2017), 755–759 |
|
2016 |
| 8. |
А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, С. А. Решанов, A. Schöner, “Метод увеличения подвижности носителей заряда в канале полевого 4$H$-SiC-транзистора”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 839–842 ; A. I. Mikhaylov, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, V. V. Luchinin, S. A. Reshanov, A. Schöner, “Method for increasing the carrier mobility in the channel of the 4$H$-SiC MOSFET”, Semiconductors, 50:6 (2016), 824–827 |
| 9. |
А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, T. Sledziewski, С. А. Решанов, A. Schöner, M. Krieger, “Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO$_{2}$/4$H$-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 103–105 ; A. I. Mikhaylov, A. V. Afanasyev, V. A. Ilyin, V. V. Luchinin, T. Sledziewski, S. A. Reshanov, A. Schöner, M. Krieger, “Specific features of the current–voltage characteristics of SiO$_{2}$/4$H$-SiC MIS structures with phosphorus implanted into silicon carbide”, Semiconductors, 50:1 (2016), 103–105 |
4
|
|
1984 |
| 10. |
Ю. М. Таиров, А. А. Кальнин, В. В. Лучинин, Ф. Нойберт, “Закономерность эволюции кристаллической структуры
при синтезе веществ, обладающих множеством структурно-устойчивых состояний”, ЖТФ, 54:7 (1984), 1388–1390  |
|
Обратная связь: