|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Cиловой МДП-транзистор на 4$H$-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом
А. И. Михайловa, А. В. Афанасьевa, В. А. Ильинa, В. В. Лучининa, С. А. Решановb, A. Schönerb a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
b Ascatron AB, Kista, Sweden
Аннотация:
Для уменьшения сопротивления силового МДП-транзистора на 4$H$-SiC во включенном состоянии предложен способ формирования заглубленного канала путем эпитаксиального наращивания слоев на поверхности высоколегированной $p$-области. Рассмотрены особенности транспорта носителей заряда в канале такого транзистора в сравнении с изготовленным по обычной технологии. Достигнуто уменьшение сопротивления силового МДП-транзистора более чем в 3 раза.
Ключевые слова:
4$H$-SiC, эпитаксия, канал транзистора, МДП-транзистор, MOSFET.
Поступила в редакцию: 04.09.2019 Исправленный вариант: 16.09.2019 Принята в печать: 16.09.2019
Образец цитирования:
А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, С. А. Решанов, A. Schöner, “Cиловой МДП-транзистор на 4$H$-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 79–84; Semiconductors, 54:1 (2020), 122–126
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5311 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p79
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | PDF полного текста: | 38 |
|