Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 79–84
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48779.9253 (Mi phts5311) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Cиловой МДП-транзистор на 4$H$-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом

А. И. Михайловa, А. В. Афанасьевa, В. А. Ильинa, В. В. Лучининa, С. А. Решановb, A. Schönerb

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
b Ascatron AB, Kista, Sweden
PDF полного текста (391 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48779.9253
Аннотация: Для уменьшения сопротивления силового МДП-транзистора на 4$H$-SiC во включенном состоянии предложен способ формирования заглубленного канала путем эпитаксиального наращивания слоев на поверхности высоколегированной $p$-области. Рассмотрены особенности транспорта носителей заряда в канале такого транзистора в сравнении с изготовленным по обычной технологии. Достигнуто уменьшение сопротивления силового МДП-транзистора более чем в 3 раза.
Ключевые слова: 4$H$-SiC, эпитаксия, канал транзистора, МДП-транзистор, MOSFET.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 03.G25.31.0243
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации, проект № 03.G25.31.0243.
Поступила в редакцию: 04.09.2019
Исправленный вариант: 16.09.2019
Принята в печать: 16.09.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 122–126
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620010157
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Михайлов, А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, В. В. Лучинин, С. А. Решанов, A. Schöner, “Cиловой МДП-транзистор на 4$H$-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 79–84; Semiconductors, 54:1 (2020), 122–126
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MikAfaIly20}
\by А.~И.~Михайлов, А.~В.~Афанасьев, В.~А.~Ильин, В.~В.~Лучинин, С.~А.~Решанов, A.~Sch\"oner
\paper Cиловой МДП-транзистор на 4$H$-SiC с эпитаксиальным заглубленным каналом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 79--84
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5311}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48779.9253}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571075}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 122--126
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620010157}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5311
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p79
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:38
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024