Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2018, том 88, выпуск 11, страницы 1678–1680
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.11.46629.2480 (Mi jtf5771) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Твердотельная электроника

Теплопроводящие платы на основе алюминия с наноструктурированным слоем Al$_{2}$O$_{3}$ для изделий силовой электроники

Е. Н. Муратоваa, В. А. Мошниковa, В. В. Лучининa, А. А. Бобковa, И. А. Врублевскийb, К. В. Черняковаb, Е. И. Теруковc

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
b Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (342 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/JTF.2018.11.46629.2480
Аннотация: Представлены результаты исследований электрических и тепловых характеристик плат на основе алюминия с наноструктурированным слоем анодного оксида алюминия и медными проводниками для монтажа мощных полевых транзисторов. Показано, что наличие тонкого диэлектрического слоя и толстой алюминиевой основы с высокой теплопроводностью обеспечивает равномерное распределение генерируемого активным элементом тепла по всему объему платы без образования локальных областей с повышенной температурой. Результаты экспериментов свидетельствуют о том, что значение градиента температуры между источником нагрева и поверхностью анодного оксида алюминия составляет величину порядка 17–18$^\circ$C при удельной поверхностной мощности нагрева 4.4 W/cm$^{2}$.
Поступила в редакцию: 14.09.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2018, Volume 63, Issue 11, Pages 1626–1628
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784218110191
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Н. Муратова, В. А. Мошников, В. В. Лучинин, А. А. Бобков, И. А. Врублевский, К. В. Чернякова, Е. И. Теруков, “Теплопроводящие платы на основе алюминия с наноструктурированным слоем Al$_{2}$O$_{3}$ для изделий силовой электроники”, ЖТФ, 88:11 (2018), 1678–1680; Tech. Phys., 63:11 (2018), 1626–1628
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MurMosLuc18}
\by Е.~Н.~Муратова, В.~А.~Мошников, В.~В.~Лучинин, А.~А.~Бобков, И.~А.~Врублевский, К.~В.~Чернякова, Е.~И.~Теруков
\paper Теплопроводящие платы на основе алюминия с наноструктурированным слоем Al$_{2}$O$_{3}$ для изделий силовой электроники
\jour ЖТФ
\yr 2018
\vol 88
\issue 11
\pages 1678--1680
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf5771}
\crossref{https://doi.org/10.21883/JTF.2018.11.46629.2480}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36904541}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2018
\vol 63
\issue 11
\pages 1626--1628
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784218110191}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf5771
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v88/i11/p1678
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024