Особенности вольт-амперных характеристик МДП-структур SiO$_{2}$/4$H$-SiC c имплантированным в карбид кремния фосфором

Исследовано влияние имплантации ионов фосфора в эпитаксиальный слой 4$H$-SiC непосредственно перед термическим ростом подзатворного диэлектрика в атмосфере сухого кислорода на надежностные характеристики подзатворного диэлектрика. Установлено, что наряду с пассивацией поверхностных состояний внедрение ионов фосфора приводит к незначительному снижению поля диэлектрического пробоя и уменьшению высоты энергетического барьера между карбидом кремния и диэлектриком, связанными с присутствием атомов фосфора на 4$H$-SiC/SiO$_{2}$ интерфейсе и в объеме диоксида кремния.