|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Е. В. Калинина, А. А. Каташев, Г. Н. Виолина, А. М. Стрельчук, И. П. Никитина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, “Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1368–1373   ; E. V. Kalinina, A. A. Katashev, G. N. Violina, A. M. Strel'chuk, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Structural, electrical, and optical properties of 4$H$-SiC for ultraviolet photodetectors”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1628–1633 |
1
|
| 2. |
Е. В. Калинина, М. Ф. Кудояров, И. П. Никитина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, “Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4$H$-SiC-детекторов, облученных ионами аргона”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1244–1248 ; E. V. Kalinina, M. F. Kudoyarov, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Structural and optical characteristics of 4$H$-SiC UV detectors irradiated with argon ions”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1478–1482 |
1
|
| 3. |
Е. В. Калинина, Г. Н. Виолина, И. П. Никитина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, М. З. Шварц, С. А. Левина, А. В. Николаев, “Влияние температуры на характеристики 4$H$-SiC-фотоприемника”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 195–201 ; E. V. Kalinina, G. N. Violina, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, M. Z. Shvarts, S. A. Levina, A. V. Nikolaev, “Effect of temperature on the characteristics of 4$H$-SiC UV photodetectors”, Semiconductors, 54:2 (2020), 246–252 |
3
|
|
2019 |
| 4. |
Е. В. Калинина, Г. Н. Виолина, И. П. Никитина, М. А. Яговкина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, “Облучение протонами 4$H$-SiC фотоприемников с барьером Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 856–861 ; E. V. Kalinina, G. N. Violina, I. P. Nikitina, M. A. Yagovkina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Proton irradiation of 4$H$-SiC photodetectors with Schottky barriers”, Semiconductors, 53:6 (2019), 844–849 |
7
|
|
2017 |
| 5. |
А. С. Гращенко, Н. А. Феоктистов, А. В. Осипов, Е. В. Калинина, С. А. Кукушкин, “Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 651–658 ; A. S. Grashchenko, N. A. Feoktistov, A. V. Osipov, E. V. Kalinina, S. A. Kukushkin, “Photoelectric characteristics of silicon carbide–silicon structures grown by the atomic substitution method in a silicon crystal lattice”, Semiconductors, 51:5 (2017), 621–627 |
10
|
|
2016 |
| 6. |
Е. В. Калинина, Г. Н. Виолина, В. П. Белик, А. В. Николаев, В. В. Забродский, “Квантовая эффективность 4$H$-SiC-детекторов в диапазоне 114–400 nm”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 73–78 ; E. V. Kalinina, G. N. Violina, V. P. Belik, A. V. Nikolaev, V. V. Zabrodskii, “Quantum efficiency of 4$H$-SiC detectors within the range of 114–400 nm”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1057–1059 |
5
|
|
1985 |
| 7. |
Е. В. Калинина, Ю. В. Ковальчук, Г. В. Прищепа, О. В. Смольский, “Влияние воздействия ультракоротких лазерных импульсов на электрофизические свойства карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 11:11 (1985), 669–671  |
|
1984 |
| 8. |
В. Г. Одинг, Ю. А. Водаков, Е. В. Калинина, Е. Н. Мохов, К. Д. Демаков, В. Г. Столярова, Г. Ф. Холуянов, “Катодолюминесценция SiC, ионно-легированного Al и Ar”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 700–703 |
|
Обратная связь: