|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова, Е. А. Борсук, “Светодиодные структуры на основе ZnO-пленок, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, для УФ области спектра”, ЖТФ, 90:3 (2020), 456–461   ; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, Yu. V. Kozhanova, E. A. Borsuk, “LED structures based on ZnO films obtained by RF magnetron sputtering for the UV spectral range”, Tech. Phys., 65:3 (2020), 434–439 |
1
|
| 2. |
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова, “Параметры полупроводниковых пленок ZnO, легированных 3$d$-примесями Mn, Fe”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 18–21 ; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, Yu. V. Kozhanova, “Parameters of ZnO semiconductor films doped with Mn and Fe 3$d$ impurities”, Semiconductors, 54:1 (2020), 15–18 |
|
2018 |
| 3. |
М. М. Мездрогина, А. С. Агликов, В. Г. Семенов, Ю. В. Кожанова, С. Г. Нефедов, Л. А. Шелухин, В. В. Павлов, “Рост, структурные, магнитные и магнитооптические свойства пленок ZnO, легированных 3$d$-примесью Fe$^{57}$”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 596–602 ; M. M. Mezdrogina, A. S. Aglikov, V. G. Semenov, Yu. V. Kozhanova, S. G. Nefedov, L. A. Shelukhin, V. V. Pavlov, “Growth and structural, magnetic, and magnetooptical properties of ZnO films doped with a Fe$^{57}$ 3$d$ impurity”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 603–609 |
1
|
| 4. |
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова, В. С. Левицкий, “Влияние наночастиц, тонких пленок Ag, Au на генерацию носителей заряда в структурах с множественными квантовыми ямами на основе InGaN/GaN и в кристаллических пленках ZnO”, ЖТФ, 88:4 (2018), 566–571 ; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, Yu. V. Kozhanova, V. S. Levitskii, “Influence of silver and gold nanoparticles and thin layers on charge carrier generation in InGaN/GaN multiple quantum well structures and crystalline zinc oxide films”, Tech. Phys., 63:4 (2018), 551–556 |
| 5. |
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова, “Формирование спектров люминесценции, интенсивность излучения в УФ и видимой областях структур $n$-ZnO/$p$-GaN, $n$-ZnO/$p$-ZnO при нанесении пленок ZnO методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1115–1119 ; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, Yu. V. Kozhanova, “Formation of luminescence spectra and emission intensity in the UV and visible spectral regions for $n$-ZnO/$p$-GaN and $n$-ZnO/$p$-ZnO structures when depositing ZnO films by high-frequency magnetron sputtering”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1233–1237 |
3
|
|
2017 |
| 6. |
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, В. С. Левицкий, Е. Е. Терукова, Ю. В. Кожанова, А. С. Агликов, “Параметры пленок ZnO с дырочным типом проводимости, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 588–593 ; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, V. S. Levitskii, E. E. Terukova, Yu. V. Kozhanova, A. S. Aglikov, “Parameters of ZnO films with $p$-type conductivity deposited by high-frequency magnetron sputtering”, Semiconductors, 51:5 (2017), 559–564 |
3
|
|
2016 |
| 7. |
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Р. В. Кузьмин, В. С. Левицкий, Ю. В. Кожанова, Н. В. Лянгузов, М. В. Чукичев, “Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1325–1332 |
3
|
|
1992 |
| 8. |
М. М. Мездрогина, О. А. Голикова, М. М. Казанин, Г. Юшка, К. Арлаускас, У. С. Бабаходжаев, Р. Г. Икрамов, “Параметры фотопреобразователей на основе пленок аморфного
гидрированного кремния, полученного в тетродной системе”, ЖТФ, 62:1 (1992), 108–112  |
| 9. |
О. А. Голикова, М. М. Мездрогина, А. П. Соколов, А. П. Шебанин, “Структурная сетка $\alpha$-Si : H, легированного бором,
и транспорт дырок”, Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992), 960–962 |
| 10. |
О. А. Голикова, У. С. Бабаходжаев, В. В. Дубро, Р. Г. Икрамов, М. М. Казанин, М. М. Мездрогина, Р. Р. Яфаев, “Фотопроводимость и плотность состояний аморфного гидрированного
кремния, легированного бором”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992), 66–70 |
|
1991 |
| 11. |
О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, В. А. Терехов, С. Н. Тростянский, “Плотность состояний хвоста валентной зоны и фотопроводимость
аморфного гидрированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1448–1450 |
| 12. |
О. А. Голикова, У. С. Бабаходжаев, М. М. Казанин, М. М. Мездрогина, К. Арлаускас, Г. Юшка, “Удельные сдвиги носителей тока и плотность состояний аморфного
гидрированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 551–553 |
| 13. |
О. А. Голикова, М. М. Казанин, М. М. Мездрогина, Н. Б. Захарова, И. И. Ятлинко, И. Н. Петров, “Исследование фотопроводимости аморфного гидрированного кремния
методом видикона”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 170–171 |
| 14. |
О. А. Голикова, У. С. Бабаходжаев, М. М. Казанин, М. М. Мездрогина, “Плотность состояний и перенос дырок в аморфном гидрированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 102–105 |
|
1990 |
| 15. |
В. Н. Новиков, А. П. Соколов, О. А. Голикова, В. Х. Кудоярова, М. М. Мездрогина, “Механизм возникновения аномальной спектральной зависимости оптического поглощения в аморфном кремнии”, Физика твердого тела, 32:5 (1990), 1515–1517 |
| 16. |
О. А. Голикова, У. Бабаходжаев, М. М. Казанин, М. М. Мездрогина, К. Арлаускас, Г. Юшка, “Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного
гидрированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990), 1190–1193 |
| 17. |
Ж. Атаев, В. А. Васильев, А. С. Волков, М. М. Мездрогина, Е. И. Теруков, “Фоточувствительность $p{-}i{-}n$ структур и структур с барьером
Шоттки на основе $a$-Si : H в области УФ излучения”, Письма в ЖТФ, 16:1 (1990), 47–50 |
|
1989 |
| 18. |
О. А. Голикова, М. М. Казанин, В. X. Кудоярова, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, У. С. Бабаходжаев, “Эффект псевдолегирования аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1737–1740 |
| 19. |
А. Р. Регель, У. Ж. Абдуманапов, В. А. Васильев, М. М. Мездрогина, Ф. С. Насрединов, П. П. Серегин, “Примесные центры диспрозия в аморфном гидрогенизированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1552–1555 |
| 20. |
О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, М. М. Казанин, В. Х. Кудоярова, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, В. А. Терехов, С. Н. Тростянский, “Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного
кремния”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 450–455 |
| 21. |
О. А. Голикова, М. М. Мездрогина, И. Н. Петров, М. М. Казанин, К. Л. Сорокина, “Мишени видикона на основе аморфного гидрированного кремния”, Письма в ЖТФ, 15:4 (1989), 85–87 |
|
1988 |
| 22. |
А. Р. Регель, П. П. Серегин, П. А. Андреев, М. М. Мездрогина, Ф. С. Насрединов, “Легирование железом аморфного гидрогенизированного углерода”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1856–1859 |
| 23. |
В. И. Стриха, В. В. Ильченко, М. М. Мездрогина, А. А. Андреев, “Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки
на аморфном гидрированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 461–464 |
| 24. |
А. Р. Регель, П. П. Серегин, М. М. Мездрогина, Ф. С. Насрединов, М. С. Аблова, У. Ж. Абдуманапов, “Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами
(железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 161–164 |
|
1987 |
| 25. |
О. А. Голикова, М. М. Мездрогина, В. Х. Кудоярова, П. П. Серегин, “О легировании аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1464–1466 |
|
1986 |
| 26. |
Ф. С. Насрединов, М. М. Мездрогина, В. П. Подхалюзин, П. П. Серегин, “Мёссбауэровское исследование примесных атомов железа в аморфном кремнии”, Физика твердого тела, 28:8 (1986), 2543–2546 |
| 27. |
О. А. Голикова, М. М. Казанин, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, Н. А. Феоктистов, “Плотность состояний гидрированного аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1912–1914 |
|
1985 |
| 28. |
А. А. Андреев, В. О. Абрамов, А. И. Косарев, М. М. Мездрогина, Е. И. Теруков, Н. А. Феоктистов, В. Ю. Флоринский, “О влиянии температурного отжига на характеристики солнечных элементов с барьером Шоттки на основе аморфного гидрированного кремния”, Письма в ЖТФ, 11:1 (1985), 28–31 |
|
1984 |
| 29. |
В. А. Терехов, О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, С. Н. Тростянский, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, “Плотность состояний и фотопроводимость аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1897–1899 |
| 30. |
А. А. Андреев, О. А. Голикова, П. М. Карагеоргий-Алкалаев, А. Ю. Лейдерман, М. М. Мездрогина, В. С. Рубин, Н. А. Феоктистов, “О природе темновых токов в структурах с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 373–376 |
|
1983 |
| 31. |
О. А. Голикова, А. А. Андреев, М. М. Казанин, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, Н. А. Феоктистов, “О механизме проводимости аморфного кремния при гидрировании”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1255–1258 |
|
Обратная связь: