Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 10, страницы 1115–1119
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46449.8798 (Mi phts5703) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Формирование спектров люминесценции, интенсивность излучения в УФ и видимой областях структур $n$-ZnO/$p$-GaN, $n$-ZnO/$p$-ZnO при нанесении пленок ZnO методом высокочастотного магнетронного распыления

М. М. Мездрогинаa, А. Я. Виноградовa, Ю. В. Кожановаb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (262 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46449.8798
Аннотация: Исследованы спектры излучения структур на основе пленок ZnO, нанесенных методом высокочастотного магнетронного распыления. В спектрах ФЛ ($T$ = 300 K) структур $n$-ZnO/$p$-GaN:Mg наблюдались ярко выраженные линии излучения, связанные с рекомбинацией свободных ($\lambda$ = 363 нм) и связанных экситонов $\lambda$ = (377, 390, 410) нм, в области примесной ФЛ $\lambda$ = (450–600) нм существенного излучения не наблюдалось. В спектрах ЭЛ структур $n$-ZnO/$p$-ZnO ($T$ = 300 K) имелись лишь линии излучения, характерные для $n$-ZnO ($\lambda$ = 374 нм).
Поступила в редакцию: 12.11.2017
Принята в печать: 05.02.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 10, Pages 1233–1237
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618100123
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова, “Формирование спектров люминесценции, интенсивность излучения в УФ и видимой областях структур $n$-ZnO/$p$-GaN, $n$-ZnO/$p$-ZnO при нанесении пленок ZnO методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1115–1119; Semiconductors, 52:10 (2018), 1233–1237
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MezVinKoz18}
\by М.~М.~Мездрогина, А.~Я.~Виноградов, Ю.~В.~Кожанова
\paper Формирование спектров люминесценции, интенсивность излучения в УФ и видимой областях структур $n$-ZnO/$p$-GaN, $n$-ZnO/$p$-ZnO при нанесении пленок ZnO методом высокочастотного магнетронного распыления
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 10
\pages 1115--1119
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5703}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46449.8798}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903568}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 10
\pages 1233--1237
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618100123}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5703
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i10/p1115
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024