|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1325–1332
(Mi phts6334)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями
М. М. Мездрогинаa, А. Я. Виноградовa, Р. В. Кузьминa, В. С. Левицкийab, Ю. В. Кожановаc, Н. В. Лянгузовcd, М. В. Чукичевce a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
d Южный федеральный университет, г. Ростов-на-Дону
e Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация:
Для ZnO пленок, наностержней, монокристаллов, легированных Er$^{+}$, показано, что влияние дополнительно введенных примесей в катионную, анионную подрешетки, реализация интенсивного излучения полосы с $\lambda_{\operatorname{max}}$ = 1535 нм определяется концентрацией и локальным окружением иона. Легирование пленок, монокристаллов с помощью метода диффузии Er$^{+}$ приводит к излучению в ИК-области спектра с малой интенсивностью вследствие недостаточной концентрации примесного иона. Увеличение интенсивности излучения данной полосы может быть достигнуто введением дополнительных примесей Ag, Au, N$^{+}$ в пленки ZnO. Интенсивность излучения в УФ-области для пленок, монокристаллов, легированных Er, с $\lambda_{\operatorname{max}}$ = (368–372) нм такая же, как для нелегированных пленок.
В наностержнях ZnO, легированных только Er или дополнительно введенными примесями Al, Ga, имеется полоса излучения в ИК-области (с $\lambda_{\operatorname{max}}$ = 1535 нм), интенсивность которой уменьшается при введении ко-допантов. Легирование наностержней в процессе роста (930 $<T<$ 960$^\circ$C) газовой примесью N$^{+}$, затем Er$^{+}$ методом диффузии не приводит к существенному увеличению интенсивности излучения в ИК-области по сравнению с интенcивностью излучения данной полосы для нелегированных N$^{+}$ наноcтержней. Для наностержней, легированных Er, в спектрах ФЛ которых в ИК-области имеется интенсивная полоса излучения с $\lambda_{\operatorname{max}}$ = 1535 нм, практически отсутствует излучение в УФ-области с $\lambda_{\operatorname{max}}$ = 372 нм.
Поступила в редакцию: 17.02.2016 Принята в печать: 23.03.2016
Образец цитирования:
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Р. В. Кузьмин, В. С. Левицкий, Ю. В. Кожанова, Н. В. Лянгузов, М. В. Чукичев, “Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1325–1332
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6334 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1325
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 22 | PDF полного текста: | 11 |
|