Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1325–1332 (Mi phts6334)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями

М. М. Мездрогинаa, А. Я. Виноградовa, Р. В. Кузьминa, В. С. Левицкийab, Ю. В. Кожановаc, Н. В. Лянгузовcd, М. В. Чукичевce

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
d Южный федеральный университет, г. Ростов-на-Дону
e Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация: Для ZnO пленок, наностержней, монокристаллов, легированных Er$^{+}$, показано, что влияние дополнительно введенных примесей в катионную, анионную подрешетки, реализация интенсивного излучения полосы с $\lambda_{\operatorname{max}}$ = 1535 нм определяется концентрацией и локальным окружением иона. Легирование пленок, монокристаллов с помощью метода диффузии Er$^{+}$ приводит к излучению в ИК-области спектра с малой интенсивностью вследствие недостаточной концентрации примесного иона. Увеличение интенсивности излучения данной полосы может быть достигнуто введением дополнительных примесей Ag, Au, N$^{+}$ в пленки ZnO. Интенсивность излучения в УФ-области для пленок, монокристаллов, легированных Er, с $\lambda_{\operatorname{max}}$ = (368–372) нм такая же, как для нелегированных пленок.
В наностержнях ZnO, легированных только Er или дополнительно введенными примесями Al, Ga, имеется полоса излучения в ИК-области (с $\lambda_{\operatorname{max}}$ = 1535 нм), интенсивность которой уменьшается при введении ко-допантов. Легирование наностержней в процессе роста (930 $<T<$ 960$^\circ$C) газовой примесью N$^{+}$, затем Er$^{+}$ методом диффузии не приводит к существенному увеличению интенсивности излучения в ИК-области по сравнению с интенcивностью излучения данной полосы для нелегированных N$^{+}$ наноcтержней. Для наностержней, легированных Er, в спектрах ФЛ которых в ИК-области имеется интенсивная полоса излучения с $\lambda_{\operatorname{max}}$ = 1535 нм, практически отсутствует излучение в УФ-области с $\lambda_{\operatorname{max}}$ = 372 нм.
Поступила в редакцию: 17.02.2016
Принята в печать: 23.03.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 10
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261610016X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Р. В. Кузьмин, В. С. Левицкий, Ю. В. Кожанова, Н. В. Лянгузов, М. В. Чукичев, “Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1325–1332
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MezVinKuz16}
\by М.~М.~Мездрогина, А.~Я.~Виноградов, Р.~В.~Кузьмин, В.~С.~Левицкий, Ю.~В.~Кожанова, Н.~В.~Лянгузов, М.~В.~Чукичев
\paper Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1325--1332
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6334}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369008}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6334
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1325
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:22
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024