|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Твердотельная электроника
Светодиодные структуры на основе ZnO-пленок, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, для УФ области спектра
М. М. Мездрогинаa, А. Я. Виноградовa, Ю. В. Кожановаb, Е. А. Борсукa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
Представлены результаты исследований влияния различных дефектов на вид спектров фото- и электролюминесценции (интенсивность и длину волны излучения) структур $n$-ZnO/$p$-GaN.
Ключевые слова:
пленки ZnO, $p$-GaN, спектры фотолюминесценции в УФ области спектра.
Поступила в редакцию: 24.10.2018 Исправленный вариант: 11.01.2019 Принята в печать: 30.09.2019
Образец цитирования:
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова, Е. А. Борсук, “Светодиодные структуры на основе ZnO-пленок, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, для УФ области спектра”, ЖТФ, 90:3 (2020), 456–461; Tech. Phys., 65:3 (2020), 434–439
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf5363 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v90/i3/p456
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | PDF полного текста: | 12 |
|