|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
М. П. Михайлова, А. П. Дмитриев, И. А. Андреев, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Монополярное умножение горячих носителей заряда в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в сильном электрическом поле и бесшумные лавинные фотодиоды (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 995–1010   |
| 2. |
Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 607–613 ; E. V. Kunitsyna, A. A. Pivovarova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Uncooled photodiodes for detecting pulsed infrared radiation in the spectral range of 0.9–1.8 $\mu$m”, Semiconductors, 55:7 (2021), 601–607 |
1
|
|
2020 |
| 3. |
Е. В. Куницына, М. А. Ройз, И. А. Андреев, Е. А. Гребенщикова, А. А. Пивоварова, M. Ahmetoglu (Afrailov), Е. В. Лебедок, Р. Ю. Микулич, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 677–683 ; E. V. Kunitsyna, M. A. Royz, I. A. Andreev, E. A. Grebenshchikova, A. A. Pivovarova, M. Ahmetoglu (Afrailov), E. V. Lebiadok, R. Yu. Mikulich, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes for detecting the emission of quantum-sized disk lasers operating on whispering gallery modes (2.2 – 2.3 $\mu$m)”, Semiconductors, 54:7 (2020), 796–802 |
|
2019 |
| 4. |
М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, Р. В. Левин, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 50–54 ; M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, R. V. Levin, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescence in $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructures with a single quantum well grown by MOVPE”, Semiconductors, 53:1 (2019), 46–50 |
1
|
|
2018 |
| 5. |
Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1094–1099 ; E. V. Kunitsyna, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “GaSb/GaAlAsSb heterostructure photodiodes for the near-IR spectral range”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1215–1220 |
4
|
| 6. |
М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Л. В. Данилов, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Н. Д. Ильинская, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Ю. П. Яковлев, “Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 906–911 ; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, L. V. Danilov, E. V. Ivanov, E. V. Kunitsyna, N. D. Il'inskaya, R. V. Levin, B. V. Pushnii, Yu. P. Yakovlev, “Photoconductivity amplification in a type-II $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructure with a single QW”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1037–1042 |
1
|
|
2017 |
| 7. |
М. В. Богданович, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, П. В. Шпак, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Измеритель содержания воды в нефти и нефтепродуктах на основе инфракрасных оптоэлектронных пар светодиод–фотодиод”, ЖТФ, 87:2 (2017), 315–318 ; M. V. Bogdanovich, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, P. V. Shpak, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Measurement of the water content in oil and oil products using IR light-emitting diode–photodiode optrons”, Tech. Phys., 62:2 (2017), 344–346 |
3
|
| 8. |
Л. В. Данилов, М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Г. Г. Зегря, “Влияние эффекта электростатического экранирования на фотоэлектрические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1196–1201 ; L. V. Danilov, M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, G. G. Zegrya, “Effect of electrostatic shielding on the photoelectric properties of heterostructures with deep QWs”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1148–1152 |
2
|
|
2016 |
| 9. |
Е. В. Куницына, Е. А. Гребенщикова, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев, “Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1420–1424 ; E. V. Kunitsyna, E. A. Grebenshchikova, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, Yu. P. Yakovlev, “Enhancement of the spectral sensitivity of photodiodes for the mid-IR spectral range”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1403–1407 |
3
|
|
1992 |
| 10. |
И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, А. В. Пенцов, Ю. П. Сморчкова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSbP и GaInAsSb
для спектрального диапазона 3$-$5 мкм”, Письма в ЖТФ, 18:17 (1992), 50–53  |
|
1991 |
| 11. |
И. А. Андреев, М. П. Михайлова, С. В. Мельников, Ю. П. Сморчкова, Ю. П. Яковлев, “Лавинное умножение и коэффициенты ионизации в GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1429–1436 |
|
1990 |
| 12. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, И. Н. Тимченко, В. Е. Шестнев, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды на основе
InAs/InAsSbP для спектрального диапазона
2$-$3.5 мкм”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990), 27–32 |
|
1989 |
| 13. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, Н. Н. Марьинская, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Малошумящие лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения
и умножения для области спектра
1.6$-$2.4 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:17 (1989), 71–76 |
| 14. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, С. Г. Конников, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, О. В. Салата, В. Б. Уманский, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Сверхбыстродействующий
$p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb
для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:7 (1989), 15–19 |
|
1988 |
| 15. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Лавинный фотодиод с разделенными областями поглощения
и умножения
на основе GaInAsSb/GaAlAsSb”, Письма в ЖТФ, 14:11 (1988), 986–991 |
| 16. |
И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, А. А. Рогачев, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Усиление фототока в изотипной
структуре $n{-}n$ GaSb$-$GaInAsSb”, Письма в ЖТФ, 14:5 (1988), 389–393 |
|
1987 |
| 17. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Лавинное умножение в фотодиодных структурах на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:8 (1987), 481–485 |
|
1986 |
| 18. |
И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, В. Г. Данильченко, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb/Ga\,Al\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 12:21 (1986), 1311–1315 |
|
1985 |
| 19. |
И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. З. Жингарев, В. И. Корольков, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Темновые токи в диодных структурах
GaAlSb(As) «резонансного» состава”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1605–1611 |
|
1984 |
| 20. |
И. А. Андреев, М. П. Михайлова, А. Н. Семенов, С. В. Слободчиков, Н. М. Стусь, Г. М. Филаретова, “Коэффициенты ударной ионизации электронов и дырок в узкозонных
твердых растворах на основе InAs”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 545–547 |
| 21. |
И. А. Андреев, М. Ф. Дубовик, “Новый пьезоэлектрик « лангасит» La$_{3}$Ga$_{5}$SiO$_{14}$ — материал с нулевым температурным
коэффициентом частоты упругих колебаний”, Письма в ЖТФ, 10:8 (1984), 487–491 |
2
|
|
1983 |
| 22. |
И. А. Андреев, Ю. С. Кузьминов, Н. М. Полозков, “Слабая температурная зависимость упругих податливостей
s$_{11}$ и s$_{44}$ кристалла Ba$_{0.39}$Sr$_{0.61}$Nb$_{2}$O$_{6}$ вблизи
20$^{\circ}$C”, ЖТФ, 53:8 (1983), 1632–1635 |
|
|
|
2018 |
| 23. |
L. V. Danilov, M. P. Mikhailova, R. V. Levin, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, I. A. Andreev, B. V. Pushnyi, G. G. Zegrya, “Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 476 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 493–496 |
1
|
|
Обратная связь: