|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
М. К. Бахадырханов, З. Т. Кенжаев, Х. С. Турекеев, Б. О. Исаков, А. А. Усмонов, “Геттерирующие свойства никеля в кремниевых фотоэлементах”, ЖТФ, 91:11 (2021), 1685–1688   |
| 2. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, “Физические основы формирования гетероваризонной структуры на основе кремния”, ЖТФ, 91:11 (2021), 1678–1684 |
1
|
| 3. |
М. К. Бахадырханов, З. Т. Кенжаев, “Оптимальные условия легирования никелем для повышения эффективности кремниевых фотоэлементов”, ЖТФ, 91:6 (2021), 981–986 ; M. K. Bakhadyrkhanov, Z. T. Kenzhaev, “Optimal conditions for nickel doping to improve the efficiency of silicon photoelectric cells”, Tech. Phys., 66:7 (2021), 851–856  |
7
|
| 4. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев, М. О. Турсунов, “Аномальные фотоэлектрические явления в кремнии с нанокластерами атомов марганца”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 489–492 ; M. K. Bakhadyrkhanov, S. B. Isamov, N. F. Zikrillaev, M. O. Tursunov, “Anomalous photoelectric phenomena in silicon with nanoclusters of manganese atoms”, Semiconductors, 55:6 (2021), 542–545 |
5
|
| 5. |
М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, Г. Х. Мавлонов, Ш. Н. Ибодуллаев, С. А. Тачилин, “Использование эффекта отрицательного магнитосопротивления в кремнии для создания многофункциональных датчиков”, Письма в ЖТФ, 47:19 (2021), 7–11 ; M. K. Bakhadyrkhanov, H. M. Iliev, G. Kh. Mavlonov, Sh. N. Ibodullaev, S. A. Tachilin, “The effect of negative magnetoresistance in silicon to create multifunctional sensors”, Tech. Phys. Lett., 48:1 (2022), 1–4 |
| 6. |
М. К. Бахадырханов, Ш. Н. Ибодуллаев, Н. Ф. Зикриллаев, С. В. Ковешников, “Фоторезистор инфракрасного излучения на основе кремния с нанокластерами атомов марганца”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 12–15 ; M. K. Bakhadyrkhanov, Sh. N. Ibodullaev, N. F. Zikrillaev, S. V. Koveshnikov, “An infrared radiation photoresistor based on silicon with nanoclusters of manganese atoms”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 641–644 |
1
|
|
2020 |
| 7. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Ш. Н. Ибодуллаев, С. В. Ковешников, Н. Норкулов, “Стимулированная электрическим полем фотопроводимость в области 3–8 $\mu$m в кремнии с нанокластерами атомов марганца”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020), 37–40 ; M. K. Bakhadyrkhanov, S. B. Isamov, Sh. N. Ibodullaev, S. V. Koveshnikov, N. Norkulov, “Electric field-stimulated photoconductivity in silicon with manganese atom nanoclusters in the range of 3–8 $\mu$m”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1192–1195 |
|
2019 |
| 8. |
М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, Г. Х. Мавлонов, К. С. Аюпов, С. Б. Исамов, С. А. Тачилин, “Кремний с магнитными нанокластерами атомов марганца – новый класс фотомагнитных материалов”, ЖТФ, 89:3 (2019), 421–425 ; M. K. Bakhadyrkhanov, H. M. Iliev, G. Kh. Mavlonov, K. S. Ayupov, S. B. Isamov, S. A. Tachilin, “Silicon with magnetic nanoclusters of manganese atoms as a new ferromagnetic material”, Tech. Phys., 64:3 (2019), 385–388 |
9
|
| 9. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, З. Т. Кенжаев, С. В. Ковешников, “Изучение влияния легирования никелем кремниевых солнечных элементов с глубоким $p$–$n$-переходом”, Письма в ЖТФ, 45:19 (2019), 3–6 ; M. K. Bakhadyrkhanov, S. B. Isamov, Z. T. Kenzhaev, S. V. Koveshnikov, “Studying the effect of doping with nickel on silicon-based solar cells with a deep $p$–$n$-junction”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 959–962 |
9
|
|
2016 |
| 10. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, “ИК фотоприемники, работающие при наличии фонового освещения”, ЖТФ, 86:3 (2016), 140–142 ; M. K. Bakhadyrkhanov, S. B. Isamov, “IR photodetectors operating under background illumination”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 458–460 |
4
|
|
1992 |
| 11. |
М. К. Бахадырханов, Н. Ф. Зикриллаев, Э. У. Арзикулов, “Низкочастотные колебания тока в компенсированном цинком кремнии”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1536–1539 |
| 12. |
М. К. Бахадырханов, Ш. И. Аскаров, Б. З. Шарипов, Н. Норкулов, “Влияние плотности атомов диффузанта на коэффициент диффузии
и концентрацию электроактивных атомов серы в кремнии”, Письма в ЖТФ, 18:4 (1992), 52–54 |
|
1991 |
| 13. |
М. К. Бахадырханов, М. С. Миркамилова, В. А. Шустров, “Определение профиля концентрации марганца и никеля, имплантированных
в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1952–1956 |
| 14. |
М. К. Бахадырханов, А. Хамидов, Х. М. Илиев, И. П. Парманкулов, “Возбуждение рекомбинационных волн в кремнии, компенсированном
марганцем при одноосной упругой деформации”, Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991), 1731–1736 |
| 15. |
М. К. Бахадырханов, Н. Ф. Зикриллаев, Э. У. Арзикулов, “Влияние упругости паров диффузанта на концентрацию электроактивных
атомов и степень компенсации образцов Si$\langle\text{Zn}\rangle$”, Письма в ЖТФ, 17:12 (1991), 1–4  |
|
1990 |
| 16. |
Ф. М. Талипов, М. К. Бахадырханов, “Влияние никеля на образование термодоноров в монокристаллах кремния”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2202–2203 |
|
1989 |
| 17. |
М. К. Бахадырханов, И. П. Парманкулов, “Неустойчивость тока в кремнии, компенсированном марганцем, связанная
с рекомбинационными волнами”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1646–1650 |
|
1988 |
| 18. |
М. К. Бахадырханов, А. Абдураимов, X. М. Илиев, “Распад твердого раствора Si$\langle\text{Mn}\rangle$ при всестороннем
гидростатическом сжатии”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 123–128 |
|
1987 |
| 19. |
М. К. Бахадырханов, А. Абдураимов, Х. М. Илиев, “Влияние одноосного сжатия на ВАХ диодов из кремния с примесью
марганца”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1710–1712 |
| 20. |
М. К. Бахадырханов, Ш. И. Аскаров, Н. Норкулов, “Некоторые особенности взаимодействия примесных центров с глубокими
донорными уровнями в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1456–1459 |
| 21. |
Л. Л. Голик, М. М. Гутман, В. Е. Паксеев, М. К. Бахадырханов, Н. Ф. Зикриллаев, А. А. Турсунов, “Динамический хаос и гистерезис автоколебаний
в Si$\langle$Mn$\rangle$, обусловленные температурно-электрической
неустойчивостью”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1400–1403 |
| 22. |
М. К. Бахадырханов, Ш. И. Аскаров, С. С. Нигманходжаев, К. А. Самигов, Б. З. Шарапов, И. П. Парманкулов, “Автоколебания тока в кремнии, легированном серой”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1315–1317 |
|
1986 |
| 23. |
М. К. Бахадырханов, А. А. Турсунов, Ш. И. Аскаров, Н. Ф. Зикриллаев, А. Абдураимов, Х. М. Илиев, “Влияние упругого сжатия в направлении [100] на параметры ТЭН
в кремнии, легированном марганцем”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1561–1564 |
| 24. |
М. К. Бахадырханов, Ш. И. Аскаров, Н. Ф. Зикриллаев, “Влияние магнитного поля на температурно-электрическую неустойчивость
в кремнии, легированном марганцем”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 423–426 |
|
1985 |
| 25. |
А. Абдураимов, М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, А. А. Турсунов, “Пьезо- и холл-эффекты в $p$-Si$\langle\text{Mn}\rangle$ при одноосной
упругой деформации”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2052–2054 |
|
1984 |
| 26. |
М. К. Бахадырханов, Н. Ф. Зикриллаев, “Низкочастотные колебания тока с большой амплитудой в компенсированном
марганцем кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2220–2222 |
|
1983 |
| 27. |
М. К. Бахадырханов, К. А. Азизов, А. А. Турсунов, К. X. Хайдаров, “Влияние $\gamma$-облучения на электрические и фотоэлектрические
свойства компенсированного марганцем кремния”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 973–976 |
|
Обратная связь: