Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 6, страницы 489–492
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.06.50912.9259 (Mi phts6577) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Аномальные фотоэлектрические явления в кремнии с нанокластерами атомов марганца

М. К. Бахадырхановa, С. Б. Исамовa, Н. Ф. Зикриллаевa, М. О. Турсуновb

a Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекиста
b Термезский государственный университет, 190111 Термез, Узбекистан
PDF полного текста (182 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.06.50912.9259
Аннотация: Показано, что в кремнии с нанокластерами атомов марганца наблюдается ряд аномальных фотоэлектрических явлений, таких как примесная остаточная фотопроводимость с большим временем релаксации, инфракрасное гашение фотопроводимости при отсутствии собственного фонового света, гигантская примесная фотопроводимость и примесная суперлинейная ватт-амперная характеристика, связанные с наличием нанокластеров атомов марганца. Природу этих явлений невозможно объяснить существующей теорией фотопроводимости. Такие материалы могут быть использованы для создания новых типов фотоэлектрических приборов.
Ключевые слова: кремний, марганец, нанокластер, ИК гашение, фотопроводимость, фотоотклик.
Поступила в редакцию: 27.09.2020
Исправленный вариант: 15.02.2020
Принята в печать: 19.02.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 6, Pages 542–545
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621060038
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев, М. О. Турсунов, “Аномальные фотоэлектрические явления в кремнии с нанокластерами атомов марганца”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 489–492; Semiconductors, 55:6 (2021), 542–545
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BakIsaZik21}
\by М.~К.~Бахадырханов, С.~Б.~Исамов, Н.~Ф.~Зикриллаев, М.~О.~Турсунов
\paper Аномальные фотоэлектрические явления в кремнии с нанокластерами атомов марганца
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 6
\pages 489--492
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6577}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.06.50912.9259}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46490241}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 6
\pages 542--545
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621060038}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6577
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i6/p489
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:58
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024