Изучение влияния легирования никелем кремниевых солнечных элементов с глубоким $p$–$n$-переходом

Показано, что легирование лицевой стороны солнечного элемента с глубоко залегающим $p$–$n$-переходом атомами никеля приводит к увеличению значений плотности тока короткого замыкания $J_{sc}$ на 89% и напряжения холостого хода $V_{oc}$ на 19.7%. Дополнительная термообработка при 700$^\circ$C в течение часа приводит к росту $J_{sc}$ на 98.4% и $V_{oc}$ на 13.18%. Предполагается, что рост эффективности преобразования инфракрасного излучения происходит за счет формирования кластеров атомов никеля, являющихся геттерирующими центрами для неконтролируемых рекомбинационных примесей.