Фоторезистор инфракрасного излучения на основе кремния с нанокластерами атомов марганца

Показана возможность использования кремния с нанокластерами атомов марганца для создания фоторезисторов в области спектра $\lambda$ = 1.2–3 $\mu$m. Установлено, что такие фотоприемники обладают пороговой чувствительностью порядка 10$^{-11}$ W на длине волны 1.55 $\mu$m. Квантовая эффективность на длине волны 2 $\mu$m превышает 10% и составляет 0.1% на длине волны 2.5 $\mu$m, что позволяет использовать примесную фоточувствительность кремния с нанокластерами атомов марганца для создания высокоразрешающих матричных фотоприемников, работающих в спектральном диапазоне до 2.5 $\mu$m.