Оптимальные условия легирования никелем для повышения эффективности кремниевых фотоэлементов

Исследована стабильность обогащенного никелем поверхностного слоя кремния при термообработках. При термообработках ниже 900$^\circ$C обогащенный никелем слой сохраняется. Установлено, что легирование кремниевого фотоэлемента никелем приводит к улучшению эффективности независимо от глубины залегания $p$–$n$-перехода. Оптимальные условия диффузии никеля в кремний – $T$ = 800–850$^\circ$C, $t$ = 30 min. Наблюдался рост тока короткого замыкания фотоэлементов, легированных никелем, во всей исследованной области спектра. Показано, что легирование никелем до формирования $p$–$n$-перехода фотоэлемента является более эффективным и технологичным. Улучшение параметров фотоэлемента при легировании никелем в основным связано с свойствами поверхностного слоя.