Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Саченко Анатолий Васильевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 23
Научных статей: 23

Статистика просмотров:
Эта страница:71
Страницы публикаций:955
Полные тексты:520
кандидат физико-математических наук (1969)

Научная биография:

Саченко, Анатолий Васильевич. Теория некоторых поверхностно-чувствительных электронных явлений в полупроводниках : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.00.00 / А.В. Саченко. - Киев, 1969. - 188 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person161241
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2019
1. А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, В. П. Кладько, Н. В. Сафрюк-Романенко, A. И. Любченко, В. М. Шеремет, В. В. Шинкаренко, А. С. Слепова, В. А. Пилипенко, Т. В. Петлицкая, А. С. Пилипчук, Р. В. Конакова, А. В. Саченко, “Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  485–492  mathnet  elib; A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. P. Klad'ko, N. V. Safryuk-Romanenko, A. I. Lubchenko, V. N. Sheremet, V. V. Shynkarenko, A. S. Slepova, V. A. Pilipenko, T. V. Petlitskaya, A. S. Pilipchuk, R. V. Konakova, A. V. Sachenko, “Features of the temperature dependence of the specific contact resistance of Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si diffusion silicon structures”, Semiconductors, 53:4 (2019), 469–476
2018
2. А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Р. В. Конакова, “Новый механизм реализации омических контактов”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  138–142  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, “On a new mechanism for the realization of ohmic contacts”, Semiconductors, 52:1 (2018), 131–135 1
3. А. В. Саченко, В. П. Костылев, А. В. Бобыль, В. Н. Власюк, И. О. Соколовский, Г. А. Коноплев, Е. И. Теруков, М. З. Шварц, М. А. Евстигнеев, “Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  40–49  mathnet  elib; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, A. V. Bobyl', V. N. Vlasyuk, I. O. Sokolovskyi, G. A. Konoplev, E. I. Terukov, M. Z. Shvarts, M. A. Evstigneev, “The effect of base thickness on photoconversion efficiency in textured silicon-based solar cells”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 873–876 23
2017
4. В. Н. Вербицкий, И. Е. Панайотти, С. Е. Никитин, А. В. Бобыль, Г. Г. Шелопин, Д. А. Андроников, А. С. Абрамов, А. В. Саченко, Е. И. Теруков, “Электролюминесцентные исследования эффективности кремниевых гетероструктурных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  3–11  mathnet  elib; V. N. Verbitskii, I. E. Panaiotti, S. E. Nikitin, A. V. Bobyl', G. G. Shelopin, D. A. Andronikov, A. S. Abramov, A. V. Sachenko, E. I. Terukov, “Electroluminescent study of the efficiency of silicon heterostructural solar cells”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 779–782 4
5. А. В. Саченко, В. П. Костылев, А. В. Бобыль, В. М. Власюк, И. О. Соколовский, Е. И. Теруков, М. А. Евстигнеев, “Особенности моделирования эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе перовскитов”, Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  88–96  mathnet  elib; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, A. V. Bobyl', V. M. Vlasyuk, I. O. Sokolovskyi, E. I. Terukov, M. A. Evstigneev, “Peculiarities of photoconversion efficiency modeling in perovskite solar cells”, Tech. Phys. Lett., 43:7 (2017), 678–680 3
6. А. В. Саченко, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, Е. И. Теруков, М. З. Шварц, “Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе $\alpha$-Si : H/Si”, Письма в ЖТФ, 43:3 (2017),  29–38  mathnet  elib; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, I. O. Sokolovskyi, A. V. Bobyl', V. N. Verbitskii, E. I. Terukov, M. Z. Shvarts, “Specific features of current flow in $\alpha$-Si : H/Sii heterojunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 152–155 25
2016
7. А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Р. В. Конакова, “К вопросу об омичности контактов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  777–784  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, “On the ohmicity of Schottky contacts”, Semiconductors, 50:6 (2016), 761–768 4
8. А. В. Саченко, А. И. Шкребтий, P. М. Коркишко, В. П. Костылев, Н. Р. Кулиш, И. О. Соколовский, “Моделирование реальных значений кпд высокоэффективных кремниевых солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  531–537  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. I. Skrebtii, R. M. Korkishko, V. P. Kostylyov, N. R. Kulish, I. O. Sokolovskyi, “Simulation of the real efficiencies of high-efficiency silicon solar cells”, Semiconductors, 50:4 (2016), 523–529 2
9. А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, А. С. Абрамов, А. В. Бобыль, И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, “Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  259–263  mathnet  elib; A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko, V. P. Kostylyov, I. O. Sokolovskyi, A. S. Abramov, A. V. Bobyl', I. E. Panaiotti, E. I. Terukov, “Method for optimizing the parameters of heterojunction photovoltaic cells based on crystalline silicon”, Semiconductors, 50:2 (2016), 257–260 10
10. А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, С. А. Витусевич, С. В. Новицкий, В. Н. Шеремет, А. С. Пилипчук, “Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  82–87  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, S. A. Vitusevich, S. V. Novitskii, V. N. Sheremet, A. S. Pilipchuk, “The temperature dependence of the resistivity of ohmic contacts based on gallium arsenide and indium phosphide in the 4.2–300 K range”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 649–651
11. А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, В. П. Костылев, P. М. Коркишко, И. О. Соколовский, А. С. Абрамов, С. Н. Аболмасов, Д. А. Андроников, А. В. Бобыль, И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, A. С. Титов, М. З. Шварц, “Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния”, Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  70–76  mathnet  elib; A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko, V. P. Kostylyov, R. M. Korkishko, I. O. Sokolovskyi, A. S. Abramov, S. N. Abolmasov, D. A. Andronikov, A. V. Bobyl', I. E. Panaiotti, E. I. Terukov, A. S. Titov, M. Z. Shvarts, “The temperature dependence of the characteristics of crystalline-silicon-based heterojunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 313–316 7
1992
12. А. М. Евстигнеев, А. В. Саченко, “Влияние фриделевских осцилляций на емкость двойного электрического слоя”, Физика твердого тела, 34:7 (1992),  2287–2290  mathnet  isi
13. А. Я. Буль, А. Т. Дидейкин, С. К. Бойцов, Ю. С. Зинчик, А. В. Саченко, “Эффект усиления фототока в структурах полупроводник$-$туннельно-прозрачный диэлектрик$-$полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  295–304  mathnet
1988
14. В. Г. Попов, А. В. Саченко, Ю. В. Коломзаров, Р. П. Комиренко, В. А. Скрышевский, “К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1867–1870  mathnet
15. Н. А. Прима, А. В. Саченко, “Поверхностная релаксация энергии и отрицательная дифференциальная проводимость тонких образцов”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  522–524  mathnet
16. А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, А. В. Саченко, А. И. Шкребтий, “Вольт-амперная характеристика МТДП структур в режиме стационарного лавинного пробоя”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1729–1732  mathnet  isi
1986
17. А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, Ю. С. Зинчик, К. В. Санин, А. В. Саченко, “Кинетика фотоответа и механизм протекания тока в кремниевых структурах полупроводник–тонкий диэлектрик–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1444–1450  mathnet
18. Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, А. В. Саченко, О. М. Сресели, “Аномальный фотоэффект на границе закиси меди с электролитом”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  876–880  mathnet
19. А. В. Саченко, Б. А. Новоминский, В. Я. Айвазов, А. С. Калшабеков, “Фотомагнитный эффект в структурах Si$-$SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  257–262  mathnet
1985
20. А. В. Саченко, “Физические ограничения эффективности фотопреобразования в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1468–1472  mathnet
1983
21. А. В. Саченко, “Спектральные зависимости фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния. Теоретические соотношения”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1782–1786  mathnet
22. А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, Ю. С. Зинчик, К. В. Санин, А. В. Саченко, “Кинетика фотоответа туннельных МДП структур”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1471–1477  mathnet
23. А. Я. Вуль, А. В. Саченко, “Фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник с туннельно-прозрачным слоем диэлектрика”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1361–1376  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024