|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Новый механизм реализации омических контактов
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Р. В. Конакова Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
Аннотация:
Для контактов металл-полупроводник с диэлектрическим зазором выполнен анализ высоты барьера в контакте с учетом распределения поверхностных состояний по координате $x$, перпендикулярной границе раздела диэлектрик-полупроводник. Показано, что при достаточно больших уровнях легирования полупроводника учет пространственной зависимости плотности поверхностных состояний приводит к существенному уменьшению высоты барьера, что способствует реализации омических контактов. Установлено, что эффект понижения высоты барьера тем больше, чем меньше контактная разность потенциалов металл–полупроводник $\varphi_{ms}$. В случае, когда величина $\varphi_{ms}$ отрицательна, данный эффект может приводить к перемене знака потенциала, т. е. к реализации в области пространственного заряда полупроводника слоя обогащения, даже при большой плотности поверхностных состояний. В свою очередь это способствует проявлению аномальной зависимости удельного контактного сопротивления от температуры, растущего с увеличением температуры.
Поступила в редакцию: 07.06.2017 Принята в печать: 08.06.2017
Образец цитирования:
А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Р. В. Конакова, “Новый механизм реализации омических контактов”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 138–142; Semiconductors, 52:1 (2018), 131–135
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5955 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p138
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 29 | PDF полного текста: | 10 |
|