|
Эта публикация цитируется в 23 научных статьях (всего в 23 статьях)
Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния
А. В. Саченкоa, В. П. Костылевa, А. В. Бобыльb, В. Н. Власюкa, И. О. Соколовскийa, Г. А. Коноплевc, Е. И. Теруковbc, М. З. Шварцb, М. А. Евстигнеевd a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
d Department of Physics and Physical Oceanography, Memorial University of Newfoundland, St. John's, Canada
Аннотация:
Развита теория, описывающая экспериментальные зависимости внешнего квантового выхода EQE $(\lambda)$ от длин пробега фотонов для текстурированных солнечных элементов на основе Si. Рассчитаны плотности тока короткого замыкания в зависимости от толщины базы $d$ высокоэффективных солнечных элементов c КПД преобразования $\eta\ge$ 25%. Процедура позволяет провести их полную оптимизацию, в частности найти оптимальные значения толщины базы $d_{opt}$.
Поступила в редакцию: 03.05.2018
Образец цитирования:
А. В. Саченко, В. П. Костылев, А. В. Бобыль, В. Н. Власюк, И. О. Соколовский, Г. А. Коноплев, Е. И. Теруков, М. З. Шварц, М. А. Евстигнеев, “Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 40–49; Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 873–876
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5678 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i19/p40
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 47 | PDF полного текста: | 12 |
|